Research and Development of Manufacturing Technologies for SiC Crystals and Wafers for Advanced Electronic Applications

Provider

Ministry of Industry and Trade

Programme

—

Call for proposals

—

Main participants

ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

Contest type

OP - EU Operational Programme

Contract ID

MPO 595154/21/61200/363

Project name in Czech

Výzkum a vývoj technologií výroby SiC krystalů a desek pro pokročilé elektronické aplikace

Annotation in Czech

Cílem projektu je výzkum a vývoj světově konkurenceschopné technologie výroby substrátu karbidu křemíku (SiC) pro pokročilé polovodičové aplikace (MOSFET - Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) s demonstrací kvalifikovanými funkčními vzorky. Pro dosažení světově úrovně výstupů je nezbytný také výzkum a vývoj vhodných metod charakterizace SiC krystalů a desek s uplatněním ve výzkumně-vývojové organizaci i v průmyslové výrobě polovodičových substrátů.

R&D category

VV - Exeperimental development

OECD FORD - main branch

20501 - Materials engineering

OECD FORD - secondary branch

20201 - Electrical and electronic engineering

OECD FORD - another secondary branch

—

CEP - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)

JA - Electronics and optoelectronics<br>JB - Sensors, detecting elements, measurement and regulation<br>JG - Metallurgy, metal materials<br>JP - Industrial processes and processing

Realization period - beginning

Jan 1, 2021

Realization period - end

Feb 14, 2024

Project status

K - Ending multi-year project

Latest support payment

Aug 31, 2021

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data delivery code

CEP24-MPO-EG-R

Data delivery date

May 20, 2024

Total approved costs

66,007 thou. CZK

Public financial support

0 thou. CZK

Other public sources

0 thou. CZK

Non public and foreign sources

36,218 thou. CZK