*Technology Modification for Deposition of Passivation and Antireflective Coatings by the Method of PECVD for the Condition of Vertical Reactor
Public support
Provider
Ministry of Industry and Trade
Programme
TIP
Call for proposals
TIP 1 (SMPO2009/01)
Main participants
—
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
FR-TI1/619
Alternative language
Project name in Czech
*Modifikace technologií depozice pasivačních a antireflexních vrstev metodou PECVD pro podmínky vertikalního reaktoru
Annotation in Czech
*Procesy plazmatické depozice tenkých dielektrických vrstvev mají široké aplikační možnosti v oblasti polovodičového průmyslu a ve výrobě krystalických křemíkových solárních článků. Vrstvy deponované procesem PECVD dosahují vysoké kvality elektronickýchvlastností a vysokou úroveň vizuálního vzhledu. Vertikální depoziční pec se vyznačuje několika přednostmi - zmenšení potřebné plochy, jednodušší manipulace s procesními substráty a lepšími procesními parametry. Projekt je rovněž zaměřen na výzkum a vývojv oblasti využití PECVD procesů v technologii výroby struktur krystalických křemíkových solárních článků. S použitím PECVD procesů budou vyvinuty solární články s účinností nad 18% a solární články pro speciální aplikace.
Scientific branches
R&D category
AP - Applied research
CEP classification - main branch
JA - Electronics and optoelectronics
CEP - secondary branch
BL - Plasma physics and discharge through gases
CEP - another secondary branch
—
OECD FORD - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)
10305 - Fluids and plasma physics (including surface physics)<br>20201 - Electrical and electronic engineering
Completed project evaluation
Provider evaluation
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Project results evaluation
Development of technologies applying thin layers of SINx, SIOx Ny a A10x on silicon substrates using plasma discharge at low pressure and at relatively low temperatures up to 500 C for applications in the semiconductor and photovoltaics industry.
Solution timeline
Realization period - beginning
Jul 1, 2009
Realization period - end
Jun 30, 2013
Project status
U - Finished project
Latest support payment
Apr 23, 2013
Data delivery to CEP
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data delivery code
CEP14-MPO-FR-U/02:2
Data delivery date
Jul 17, 2014
Finance
Total approved costs
48,797 thou. CZK
Public financial support
24,397 thou. CZK
Other public sources
0 thou. CZK
Non public and foreign sources
24,399 thou. CZK