*Research and development of advanced IGBT technologies for high voltage power applications
Project goals
*This project is oriented to research and development in the area of high voltage power discrete IGBT devices with the aim to develop a manufacturing technology for advanced IGBT devices with polysilicon gate in a deep trench, high voltage die edge termination with floating implanted rings, and recessed contacts. Due to their low on-state voltage and low power losses, these devices have improved efficiency of the electrical energy consuption in appliances and tools for home and industrial applications,or in hybrid and fully electric cars, and offer more efficient energy conversion from renewable energy sources. This technology will be available in two voltage options, 600V and 1200V, and in two designs, NPT and FS, allowing implementation in a wide range of applications.
Keywords
Public support
Provider
Ministry of Industry and Trade
Programme
TIP
Call for proposals
TIP 3 (SMPO2011/01)
Main participants
—
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
FR-TI3/534
Alternative language
Project name in Czech
*Výzkum a vývoj pokročilých IGBT technologií pro vysokonapěťové výkonové aplikace
Annotation in Czech
*Projekt je zaměřen na výzkum a vývoj v oblasti vysokonapěťových výkonových diskrétních součástek IGBT s cílem vyvinout technologii výroby pokročilých součástek IGBT s vertikálním polykřemíkovým hradlem v hlubokém trenči, vysokonapěťovým ukončením aktivní oblasti čipu metodou elektricky plovoucích implantovaných prstenců a zapuštěným kolektorovým kontaktem. Tyto součástky díky nízkému napětí v propustném směru a nízkým ztrátám při spínání umožní efektivnější využívání elektrické energie ve spotřebičích,strojích a zařízeních v domácnostech a průmyslu či v elektrických a hybridních automobilech, a efektivnější získávání energie z obnovitelných zdrojů. Technologie bude mít dvě napěťové verze, 600V a 1200V, a dvě strukturní varianty, NPT a FS, pro možnostcíleného využití v širokém spektru aplikací.
Scientific branches
R&D category
VV - Exeperimental development
CEP classification - main branch
JA - Electronics and optoelectronics
CEP - secondary branch
JP - Industrial processes and processing
CEP - another secondary branch
—
20201 - Electrical and electronic engineering
20501 - Materials engineering
20705 - Remote sensing
20706 - Marine engineering, sea vessels
20707 - Ocean engineering
Completed project evaluation
Provider evaluation
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Project results evaluation
Processes for 4 Treuch IGBT technologies were developed: 1200V NPT, 600V NPT, 1200V FS and 600VFS.
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 2011
Realization period - end
Dec 31, 2013
Project status
U - Finished project
Latest support payment
Jun 14, 2013
Data delivery to CEP
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data delivery code
CEP14-MPO-FR-U/02:2
Data delivery date
Jul 17, 2014
Finance
Total approved costs
34,842 thou. CZK
Public financial support
9,057 thou. CZK
Other public sources
0 thou. CZK
Non public and foreign sources
25,786 thou. CZK
Basic information
Recognised costs
34 842 CZK thou.
Public support
9 057 CZK thou.
25%
Provider
Ministry of Industry and Trade
CEP
JA - Electronics and optoelectronics
Solution period
01. 01. 2011 - 31. 12. 2013