Preparation and application of the AIII-nitride epitaxial layers for optical wavequides and sensor structures distillation columns design
Project goals
The study of the epitaxial layers of the AIII-nitride semiconducting materials with a direct energy band gap greater than 2,5eV has a extraordinary importance with regard to the basic investigation in thermodynamics and kinetics growth process as well asto their large scale utilization in optoelectronic devices. The aim of this project is to provide for establishment of the laboratory for the preparation and characterization of the AIII-nitride epitaxial structures and optical planar waveguides. Epitaxial AIII-nitride layers on the sapphire and silicon substrates will be prepared by the MOVPE in horizontal coldwall reactor of own design and construction, using matalorganic compounds as trimethylgallium (TMG), trimethylaluminium (TMA) and ammoniaSuitable deposition conditions will be predicted on the basis of thermodynamic and kinetic calculations. Preparation, characterization and utilization of the AIII-nitride optical planar waveguides for optical sensor applications will be follow. The
Keywords
Public support
Provider
Czech Science Foundation
Programme
Standard projects
Call for proposals
Standardní projekty 1 (SGA02002GA-ST)
Main participants
Vysoká škola chemicko-technologická v Praze / Fakulta chemické technologie
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
—
Alternative language
Project name in Czech
Příprava a aplikace epitaxních vrstev nitridů 3. podskupiny pro optické vlnovodné struktury se zaměřením na senzorové aplikace
Annotation in Czech
Výzkum nitridů prvků 3. podskupiny typu AIIIBV (GaN, AlN, GaAIN, GaInN) je v současné době intenzivně studovaným programem celosvětového významu, a to především z hlediska aplikovatelnosti materiálů v oblasti zdrojů a detektorů záře v modré až ultrafialové oblasti spektra. Intensivně jsou studovány i některé teoretické aspekty této problematiky, např. modelování prosesu MOVPE přípravy epitaxních vrstev výše uvedených materiálů nástroji chemické termodynamiky a kinetiky. Navrhovaný projekt, zaměřený na přípravu a aplikace materiálů v optických planárních vlnovodech a prvcích integrované optiky pro optické senzory je zcela nový přístup v aplikaci těchto materálů a není dosud v ČR ani ve světě řešen. Vybudování pracoviště pro přípravu epitaxních strukturna safírových a křemíkových podložkách, planárních optických vlnovodů a prvků integrované optiky řeší zásadní otázku této problematiky pro vědecké a aplikační potřeby. Cílem projektu je dále modelová predikce optimálních
Scientific branches
Completed project evaluation
Provider evaluation
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Project results evaluation
V rámci projektu bylo vybudováno zařízení na přípravu epitaxních vrstev a struktur polovodivých materiálů technologií MOVPE. Na tomto zařízení je kromě jiného možné připravovat jednoduché planární vlnovody na bázi GaN. Metodou PACVD byly připraveny a cha
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 2000
Realization period - end
Jan 1, 2002
Project status
U - Finished project
Latest support payment
—
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP/2003/GA0/GA03GA/U/N/9:7
Data delivery date
May 19, 2008
Finance
Total approved costs
3,069 thou. CZK
Public financial support
2,147 thou. CZK
Other public sources
1,262 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK
Basic information
Recognised costs
3 069 CZK thou.
Public support
2 147 CZK thou.
69%
Provider
Czech Science Foundation
CEP
JA - Electronics and optoelectronics
Solution period
01. 01. 2000 - 01. 01. 2002