Thin Films of Magnetically Doped A(iii)N Semiconductors for Spin Electronics Applications
Public support
Provider
Czech Science Foundation
Programme
Standard projects
Call for proposals
Standardní projekty 9 (SGA02006GA-ST)
Main participants
—
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
104/06/0642
Alternative language
Project name in Czech
Tenké vrstvy magneticky dopovaných polovodičů A(iii)N pro aplikace ve spinové elektronice
Annotation in Czech
Polovodiče AIIIBV dopované přechodnými prvky (TM) patří do nové skupiny perspektivních materiálů zvaných "zředěné" magnetické polovodiče, které upoutaly v poslední době mnoho pozornosti v teoretické i experimentální oblasti jako vhodné potenciální zdrojeelektronových spinů pro aplikace ve spinové elektronice. Některé vysoce dopované polovodivé materiály se širokým zakázaným pásem, jako např. (Ga,Mn)N vykazují feromagnetické chování kolem pokojové teploty a nad ní, což je považováno jako hlavní kriteriumpro aplikace ve spintronice. Předkládaný projekt se zaměřuje na materiálové a technologické aspekty tenkých vrstev nitridů AIIIN dopovaných TM připravovaných metodou MOVPE. K jejich přípravě budou použity tři různé postupy: (a) iontová implantace do vrstev intrinzického GaN (AlN) následovaná temperací, (b) difúze z napařených kovových vrstev prováděná za zvýšených teplot do GaN (AlN), (c) in-situ MOVPE depozice při využití organokovových prekurzorů (C5H5)2TM jako zdroje TM. Připravené vrstvy budou
Scientific branches
R&D category
ZV - Basic research
CEP classification - main branch
CA - Inorganic chemistry
CEP - secondary branch
BM - Solid-state physics and magnetism
CEP - another secondary branch
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10402 - Inorganic and nuclear chemistry<br>20201 - Electrical and electronic engineering
Completed project evaluation
Provider evaluation
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Project results evaluation
A technological MOVPE equipment and procedure has been developed for the fabrication of thin films of AIII nitride semiconductors doped by transition metals which are envisaged as materials for spintronic applications. Although the prepared GaN layers do
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 2006
Realization period - end
Dec 31, 2008
Project status
U - Finished project
Latest support payment
Apr 25, 2008
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP09-GA0-GA-U/02:2
Data delivery date
Oct 22, 2009
Finance
Total approved costs
3,039 thou. CZK
Public financial support
3,039 thou. CZK
Other public sources
0 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK