All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Thin Films of Magnetically Doped A(iii)N Semiconductors for Spin Electronics Applications

Public support

  • Provider

    Czech Science Foundation

  • Programme

    Standard projects

  • Call for proposals

    Standardní projekty 9 (SGA02006GA-ST)

  • Main participants

  • Contest type

    VS - Public tender

  • Contract ID

    104/06/0642

Alternative language

  • Project name in Czech

    Tenké vrstvy magneticky dopovaných polovodičů A(iii)N pro aplikace ve spinové elektronice

  • Annotation in Czech

    Polovodiče AIIIBV dopované přechodnými prvky (TM) patří do nové skupiny perspektivních materiálů zvaných "zředěné" magnetické polovodiče, které upoutaly v poslední době mnoho pozornosti v teoretické i experimentální oblasti jako vhodné potenciální zdrojeelektronových spinů pro aplikace ve spinové elektronice. Některé vysoce dopované polovodivé materiály se širokým zakázaným pásem, jako např. (Ga,Mn)N vykazují feromagnetické chování kolem pokojové teploty a nad ní, což je považováno jako hlavní kriteriumpro aplikace ve spintronice. Předkládaný projekt se zaměřuje na materiálové a technologické aspekty tenkých vrstev nitridů AIIIN dopovaných TM připravovaných metodou MOVPE. K jejich přípravě budou použity tři různé postupy: (a) iontová implantace do vrstev intrinzického GaN (AlN) následovaná temperací, (b) difúze z napařených kovových vrstev prováděná za zvýšených teplot do GaN (AlN), (c) in-situ MOVPE depozice při využití organokovových prekurzorů (C5H5)2TM jako zdroje TM. Připravené vrstvy budou

Scientific branches

  • R&D category

    ZV - Basic research

  • CEP classification - main branch

    CA - Inorganic chemistry

  • CEP - secondary branch

    BM - Solid-state physics and magnetism

  • CEP - another secondary branch

    JA - Electronics and optoelectronics

  • OECD FORD - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10402 - Inorganic and nuclear chemistry<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Completed project evaluation

  • Provider evaluation

    V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)

  • Project results evaluation

    A technological MOVPE equipment and procedure has been developed for the fabrication of thin films of AIII nitride semiconductors doped by transition metals which are envisaged as materials for spintronic applications. Although the prepared GaN layers do

Solution timeline

  • Realization period - beginning

    Jan 1, 2006

  • Realization period - end

    Dec 31, 2008

  • Project status

    U - Finished project

  • Latest support payment

    Apr 25, 2008

Data delivery to CEP

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Data delivery code

    CEP09-GA0-GA-U/02:2

  • Data delivery date

    Oct 22, 2009

Finance

  • Total approved costs

    3,039 thou. CZK

  • Public financial support

    3,039 thou. CZK

  • Other public sources

    0 thou. CZK

  • Non public and foreign sources

    0 thou. CZK