Crystallography, electron and magnetic structure of GaAs nanolayer surfaces prepared by low-temperature molecular beam epitaxy
Public support
Provider
Czech Science Foundation
Programme
Standard projects
Call for proposals
Standardní projekty 6 (SGA02004GA-ST)
Main participants
—
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
—
Alternative language
Project name in Czech
Krystalografie, elektronová a magnetická struktura povrchů nanovrstev GaAs připravených nízkoteplotní molekulární epitaxí
Annotation in Czech
Krystalické nanovrstvy GaAs se připraví molekulární epitaxí při nízkých teplotách; jejich tloušťka a morfologie se bude kontrolovat in situ pomocí RHEED. Tato technika umožňuje zabudovat do polovodiče magnetické nečistoty a tím míří ke kombinaci magnetických vlastností s polovodičovou technologií. Svými vlastnostmi se vzorky připravené nízkoteplotní MBE liší od vzorků připravených standardně při vysokých teplotách a jejich detaily závisí na růstových podmínkách. Vzorky se budou přenášet v ultravysokém vakuu do elektronového spektrometru. Tam se budou měřit intenzity elektronových svazků difraktovaných od povrchu a energetické spektrum elektronů fotoemitovaných zářením výbojky He I z povrchu (100). Experimentální dat se budou interpretovatpomocí dynamické teorie LEED a jednostupňového modelu úhlově rozlišené fotoemise k získání detailních informací o krystalografii a elektronové struktuře nedotovaných vzorků a o magnetických vlastnostech vzorků dotovaných Mn z kruhového dichroismu
Scientific branches
R&D category
ZV - Basic research
CEP classification - main branch
BM - Solid-state physics and magnetism
CEP - secondary branch
—
CEP - another secondary branch
—
OECD FORD - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Completed project evaluation
Provider evaluation
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Project results evaluation
Apart from the progress gained in the preparation of GaAs(100) surfaces a number of original results have been obtained in the study of the crystallographic and of the electronic properties of these surfaces (determination of a complicated c(4x4) recontr
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 2004
Realization period - end
Jan 1, 2006
Project status
U - Finished project
Latest support payment
—
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP07-GA0-GA-U/03:2
Data delivery date
Oct 16, 2007
Finance
Total approved costs
1,900 thou. CZK
Public financial support
1,900 thou. CZK
Other public sources
0 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK