Epitaxial overgrowth on/in porous A3B5 semiconductors
Public support
Provider
Czech Science Foundation
Programme
Standard projects
Call for proposals
Standardní projekty 9 (SGA02006GA-ST)
Main participants
—
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
202/06/1315
Alternative language
Project name in Czech
Deposice epitaxních vrstev na/v porezních polovodičích A3B5
Annotation in Czech
V rámci rozvoje nanotechnologií je navržený výzkum zameřen do nové oblasti přípravy epitaxních struktur na/v porézních podložkách tvořených polovodiči A3B5, hlavne InP, GaAs a GaP. Existence mikro a nanopórů vytváří specifické podmínky pro následný epitaxní růst, zejména s ohledem na potřebu laterálního srůstání zárodků nové epitaxní vrstvy. Budeme studovat tři typy zárůstu. Růst do prostoru pórů, pro tvorbu specifických hetero a homopřechodů, růst nad porézní oblast s následným využitím porézní oblastik separaci vypěstované tenkovrstvé struktury z podložky, která by mohla být použita vícenásobně. Jako třetí typ bude studován typ heteropřechodů v nichž bude oblast nanoporů použita k ovlivňování relaxace elastické deformace způsobené strukturnímnepřizpůsobením v soustavě podložka, mikro/nanopóry a epitaxní vrstva. Metodika vytváření porézních struktur je na našem pracovišti studována již třetí rok a deposice epitaxních struktur z plynné a kapalné fáze je základním výzkumným tématem v naší
Scientific branches
R&D category
ZV - Basic research
CEP classification - main branch
BM - Solid-state physics and magnetism
CEP - secondary branch
JA - Electronics and optoelectronics
CEP - another secondary branch
JI - Composite materials
OECD FORD - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering<br>20505 - Composites (including laminates, reinforced plastics, cermets, combined natural and synthetic fibre fabrics; filled composites)
Completed project evaluation
Provider evaluation
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Project results evaluation
In the course of two years Grant project the anodization of micro/nano pores in A3B5 especially InP, GaAs, GaP and GaInP/GaAs was studed. The etching conditions for CO pores orientations (221) and (322) in InP were obtained for the first time. In case of
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 2006
Realization period - end
Dec 31, 2007
Project status
U - Finished project
Latest support payment
May 2, 2007
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP08-GA0-GA-U/04:3
Data delivery date
Dec 16, 2008
Finance
Total approved costs
1,043 thou. CZK
Public financial support
1,043 thou. CZK
Other public sources
0 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK