Defect self-compensation in CdTe
Project goals
The reliable preparation of detector-grade CdTe requires solving apparently contradictory demands consisting in a low free carrier density and the high carrier mobility-lifetime product. This goal cannot be reached without significant reduction of trapping centers and simultaneous strong compensation of shallow defects in the crystal. Even in the best quality materials the density of shallow defects at least 100x exceeds maximum allowed deep level density. Old question, how to compensate uncompensated shallow defects with much lower density of deep levels remains unsolved till now. In this project we plan the study of defect self-compensation in CdTe with aim to find a technique to prepare detector-grade CdTe and clarify the principle, which is the cause of the detector formation. The project is based both on theoretical modeling of defect structure and on experiment consisting in galvanomagnetic measurements performed in-situ during high-temperature annealing and on low temperature
Keywords
Public support
Provider
Czech Science Foundation
Programme
Standard projects
Call for proposals
Standardní projekty 11 (SGA02008GA-ST)
Main participants
—
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
202/08/0644
Alternative language
Project name in Czech
Samokompenzace defektů v CdTe
Annotation in Czech
Spolehlivá příprava CdTe vhodného pro výrobu detektorů vyžaduje řešení dvou zjevně rozporných požadavků nízké hustoty volných nosičů a současně vysokého součinu jejich pohyblivosti a doby života. Tento cíl nelze dosáhnout bez výrazné redukce pasťových hladin a silné kompenzace mělkých defektů v krystalu. I v nejkvalitnějších materiálech přesahuje koncentrace mělkých defektů nejméně 100x maximální dovolenou koncentraci hlubokých hladin. Historická otázka, jak kompenzovat mělké defekty pomocí hlubokých defektů s mnohem nižší koncentrací je dosud nevyřešena. V tomto projektu plánujeme studovat samokompenzaci defektů v CdTe s cílem nalézt postup k přípravě detektorového CdTe a objasnit princip, na jehož základě detektor vzniká. Projekt je založen jak na teoretických výpočtech defektní struktury, tak na experimentech sestávajících z galvanomagnetických měření prováděných in-situ během vysokoteplotních temperací a z nízkoteplotních elektrických a optických měření temperovaných vzorků. Současné použití
Scientific branches
Completed project evaluation
Provider evaluation
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Project results evaluation
In the course of the work on the project we have achieved following goals: 1. Semiconductor radiation detectors have been fabricated. 2. In high-quality semiinsulating samples usable for the preparation of radiation detectors there is no a deep impuritylevel compensating primarily noncompensated shallow impurities. Maximum density of deep level reaches an order 1012 cm-3, which is significantly
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 2008
Realization period - end
Dec 31, 2010
Project status
U - Finished project
Latest support payment
Apr 16, 2010
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP11-GA0-GA-U/03:3
Data delivery date
Feb 9, 2015
Finance
Total approved costs
2,457 thou. CZK
Public financial support
2,457 thou. CZK
Other public sources
0 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK
Recognised costs
2 457 CZK thou.
Public support
2 457 CZK thou.
0%
Provider
Czech Science Foundation
CEP
BM - Solid-state physics and magnetism
Solution period
01. 01. 2008 - 31. 12. 2010