All
All

What are you looking for?

All
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Defect self-compensation in CdTe

Project goals

The reliable preparation of detector-grade CdTe requires solving apparently contradictory demands consisting in a low free carrier density and the high carrier mobility-lifetime product. This goal cannot be reached without significant reduction of trapping centers and simultaneous strong compensation of shallow defects in the crystal. Even in the best quality materials the density of shallow defects at least 100x exceeds maximum allowed deep level density. Old question, how to compensate uncompensated shallow defects with much lower density of deep levels remains unsolved till now. In this project we plan the study of defect self-compensation in CdTe with aim to find a technique to prepare detector-grade CdTe and clarify the principle, which is the cause of the detector formation. The project is based both on theoretical modeling of defect structure and on experiment consisting in galvanomagnetic measurements performed in-situ during high-temperature annealing and on low temperature

Keywords

self-compensationpoint defects in semiconductorsCdTe

Public support

  • Provider

    Czech Science Foundation

  • Programme

    Standard projects

  • Call for proposals

    Standardní projekty 11 (SGA02008GA-ST)

  • Main participants

  • Contest type

    VS - Public tender

  • Contract ID

    202/08/0644

Alternative language

  • Project name in Czech

    Samokompenzace defektů v CdTe

  • Annotation in Czech

    Spolehlivá příprava CdTe vhodného pro výrobu detektorů vyžaduje řešení dvou zjevně rozporných požadavků nízké hustoty volných nosičů a současně vysokého součinu jejich pohyblivosti a doby života. Tento cíl nelze dosáhnout bez výrazné redukce pasťových hladin a silné kompenzace mělkých defektů v krystalu. I v nejkvalitnějších materiálech přesahuje koncentrace mělkých defektů nejméně 100x maximální dovolenou koncentraci hlubokých hladin. Historická otázka, jak kompenzovat mělké defekty pomocí hlubokých defektů s mnohem nižší koncentrací je dosud nevyřešena. V tomto projektu plánujeme studovat samokompenzaci defektů v CdTe s cílem nalézt postup k přípravě detektorového CdTe a objasnit princip, na jehož základě detektor vzniká. Projekt je založen jak na teoretických výpočtech defektní struktury, tak na experimentech sestávajících z galvanomagnetických měření prováděných in-situ během vysokoteplotních temperací a z nízkoteplotních elektrických a optických měření temperovaných vzorků. Současné použití

Scientific branches

  • R&D category

    ZV - Basic research

  • CEP classification - main branch

    BM - Solid-state physics and magnetism

  • CEP - secondary branch

  • CEP - another secondary branch

  • 10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Completed project evaluation

  • Provider evaluation

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Project results evaluation

    In the course of the work on the project we have achieved following goals: 1. Semiconductor radiation detectors have been fabricated. 2. In high-quality semiinsulating samples usable for the preparation of radiation detectors there is no a deep impuritylevel compensating primarily noncompensated shallow impurities. Maximum density of deep level reaches an order 1012 cm-3, which is significantly

Solution timeline

  • Realization period - beginning

    Jan 1, 2008

  • Realization period - end

    Dec 31, 2010

  • Project status

    U - Finished project

  • Latest support payment

    Apr 16, 2010

Data delivery to CEP

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Data delivery code

    CEP11-GA0-GA-U/03:3

  • Data delivery date

    Feb 9, 2015

Finance

  • Total approved costs

    2,457 thou. CZK

  • Public financial support

    2,457 thou. CZK

  • Other public sources

    0 thou. CZK

  • Non public and foreign sources

    0 thou. CZK

Recognised costs

2 457 CZK thou.

Public support

2 457 CZK thou.

0%


Provider

Czech Science Foundation

CEP

BM - Solid-state physics and magnetism

Solution period

01. 01. 2008 - 31. 12. 2010