Magnetotransport in Si(100) MOSFET's with two occupied subbands at temperatures below 4.2 K
Project goals
Research in the field of 2D electron systems was opened by the first observation of a two-dimensional (2D) electron gas at a n-type inversion layer on a (100) surface of p-type Si. In spite of almost thirty years of intensive research, several problems still remain unsolved, or only partly solved. This project is concentrated on an experimental and theoretical investigation of Si MOSFET's with either very high or very low concentration of carriers. In the high-concentration limit, with two electron subbands occupied, the main aim is to study the coexistence of two types of carriers with very different mobilities and effective masses. In the low-concentration limit, the temperature dependence of the electron mobility will be measured at very low temperatures, to investigate the possible Wigner crystallization of an electron gas. Both types of measurement will employ top quality samples, with the mobility >2m2/Vs, in which the concentration of carriers can be varied in magnitude by three orders, and wil
Keywords
Public support
Provider
Czech Science Foundation
Programme
Standard projects
Call for proposals
—
Main participants
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Contest type
—
Contract ID
—
Alternative language
Project name in Czech
Magnetotransport v Si (100) MOSFETech s dvěma obsazenými subpásy při teplotách pod 4,2 K
Annotation in Czech
První pozorování dvojrozměrného elektronového plynu v inversní vrstvě na povrchu monokrystalu křemíku s orientací (100) položilo základ k výzkumu dvojrozměrných elektronových systémů. Přestože křemík je zkoumán již téměř třicet let, zůstávají některé problémy nedořešeny. Tento projekt je věnován výzkumu křemíkových struktur MOSFET s velmi malou nebo velmi vysokou koncentrací elektronů. V případě vysoké koncentrace jsou v inversní vrstvě obsazeny dvě kvantové hladiny a jim přísluší dvě zcela rozdílné skupiny elektronů. Hlavním cílem projektu je studovat elektronový transport za těchto podmínek. Při velmi nízkých koncentracích elektronů bude sledována možnost Wignerovské krystalizace elektronového plynu. Měření budou prováděna v magnetických polích do 14T při teplotách 0.05 až 4.2 K. Budou použity vzorky s vysokou pohyblivostí elektronů, koncentraci elektronů je možné měnit hrdlovým napětím o tři řády.
Scientific branches
R&D category
—
CEP classification - main branch
BM - Solid-state physics and magnetism
CEP - secondary branch
BE - Theoretical physics
CEP - another secondary branch
—
10301 - Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Completed project evaluation
Provider evaluation
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Project results evaluation
Projekt se zabýval transportními vlastnostmi struktur MOSFET v Si (001) s vysokou koncentrací nábojových nositelů. Studovaná problematika je velmi aktuální nejen v rámci základního výzkumu ale i pro možné aplikace v MOSFET Si-technologii. Ukázalo se, že
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 1996
Realization period - end
Jan 1, 1998
Project status
U - Finished project
Latest support payment
—
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP/1999/GA0/GA09GA/V/6:6
Data delivery date
—
Finance
Total approved costs
3,152 thou. CZK
Public financial support
1,864 thou. CZK
Other public sources
0 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK
Recognised costs
3 152 CZK thou.
Public support
1 864 CZK thou.
0%
Provider
Czech Science Foundation
CEP
BM - Solid-state physics and magnetism
Solution period
01. 01. 1996 - 01. 01. 1998