Magnetotransport in Si(100) MOSFET's with two occupied subbands at temperatures below 4.2 K

Provider

Czech Science Foundation

Programme

Standard projects

Call for proposals

—

Main participants

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

Contest type

—

Contract ID

—

Project name in Czech

Magnetotransport v Si (100) MOSFETech s dvěma obsazenými subpásy při teplotách pod 4,2 K

Annotation in Czech

První pozorování dvojrozměrného elektronového plynu v inversní vrstvě na povrchu monokrystalu křemíku s orientací (100) položilo základ k výzkumu dvojrozměrných elektronových systémů. Přestože křemík je zkoumán již téměř třicet let, zůstávají některé problémy nedořešeny. Tento projekt je věnován výzkumu křemíkových struktur MOSFET s velmi malou nebo velmi vysokou koncentrací elektronů. V případě vysoké koncentrace jsou v inversní vrstvě obsazeny dvě kvantové hladiny a jim přísluší dvě zcela rozdílné skupiny elektronů. Hlavním cílem projektu je studovat elektronový transport za těchto podmínek. Při velmi nízkých koncentracích elektronů bude sledována možnost Wignerovské krystalizace elektronového plynu. Měření budou prováděna v magnetických polích do 14T při teplotách 0.05 až 4.2 K. Budou použity vzorky s vysokou pohyblivostí elektronů, koncentraci elektronů je možné měnit hrdlovým napětím o tři řády.

R&D category

—

CEP classification - main branch

BM - Solid-state physics and magnetism

CEP - secondary branch

BE - Theoretical physics

CEP - another secondary branch

—

OECD FORD - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)

10301 - Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect)<br>10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Provider evaluation

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Project results evaluation

Projekt se zabýval transportními vlastnostmi struktur MOSFET v Si (001) s vysokou koncentrací nábojových nositelů. Studovaná problematika je velmi aktuální nejen v rámci základního výzkumu ale i pro možné aplikace v MOSFET Si-technologii. Ukázalo se, že

Realization period - beginning

Jan 1, 1996

Realization period - end

Jan 1, 1998

Project status

U - Finished project

Latest support payment

—

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data delivery code

CEP/1999/GA0/GA09GA/V/6:6

Data delivery date

—

Total approved costs

3,152 thou. CZK

Public financial support

1,864 thou. CZK

Other public sources

0 thou. CZK

Non public and foreign sources

0 thou. CZK