Formation of heterovalent interfaces: A combined photoemission and ab initio DFT study of GaP/Si heterostructures
Public support
Provider
Czech Science Foundation
Programme
International projects
Call for proposals
Mezinárodní projekty 13 (SGA0201800003)
Main participants
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
18-06970J
Alternative language
Project name in Czech
Formování heterovalentních rozhraní: kombinované studium GaP/Si heterostruktur metodou fotoemise a ab initio DFT výpočtů.
Annotation in Czech
Pro novou generaci mikroelektronických zařízení jako jsou solární články a fotochemické tandemové diody pro fotolýzu vody je velmi důležitá integrace III-V polovodičů na Si. Potenciálním kandidátem pro přípravu III-V heterovrstev na Si je GaP. Příprava strmých přechodů GaP/Si metodou depozice organokovových sloučenin z plynné fáze (MOCVD) je složitý technologický úkol, protože toto rozhraní má podstatný vliv na kvalitu následného růstu epitaxních filmů a na konečné vlastnosti zařízení. Příprava strmého rozhraní GaP/Si je i v dnešní době stále otevřenou otázkou, protože mechanismy jeho vytváření na atomové úrovni nejsou doposud zcela objasněny. V tomto bilaterálním projektu se zaměříme na kombinaci optických analýz, fotoelektronových měření, hloubkového profilování a teoretických výpočtů z prvních principů (DFT) přechodu GaP/Si(001) a heterorozhraní GaP/Si(001):As, aby byly pochopeny jejich strukturní a elektronové vlastnosti na atomové úrovni. Cílem je využít získané poznatky pro kontrolu vlastností rozhraní pro jejich aplikaci při výrobě účinnějších zařízení.
Scientific branches
R&D category
ZV - Basic research
OECD FORD - main branch
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
OECD FORD - secondary branch
—
OECD FORD - another secondary branch
—
CEP - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)
BM - Solid-state physics and magnetism
Completed project evaluation
Provider evaluation
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Project results evaluation
The international project was focused on the experimental study of heterovalent GaP/Si and GaP(As)/Si interfaces. The results are relevant for microelectronics. Properties of structures and growth processes were characterized. The simulation of HAXPES outputs was presented. In collaboration with the German side, five papers were published in prominent journals with acknowledgment of the project.
Solution timeline
Realization period - beginning
Apr 15, 2018
Realization period - end
Dec 31, 2021
Project status
U - Finished project
Latest support payment
Apr 1, 2021
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP22-GA0-GC-U
Data delivery date
Jun 29, 2022
Finance
Total approved costs
3,170 thou. CZK
Public financial support
3,018 thou. CZK
Other public sources
144 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK