Radiative recombination machanism of subnanometric InAs/GaAs laser structures
Public support
Provider
Academy of Sciences of the Czech Republic
Programme
Grants of distinctly investigative character focused on the sphere of research pursued at present particularly in the Academy of Sciences of the Czech Republic
Call for proposals
Výzkumné granty 3 (SAV02003-A)
Main participants
České vysoké učení technické v Praze / Fakulta elektrotechnická<br>Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
—
Alternative language
Project name in Czech
Mechanismus zářivé rekombinace v subnanometrových InAs/GaAs laserových strukturách
Annotation in Czech
Navrhovatelé již několik let připravují a studují polovodičové laserové struktury s jednou či více InAs vrstvami o tloušťce několika atomových rovin a vzdálenými od sebe jednotky nanometrů. Posun poloh maxim El, PL a absorpční hrany struktur se liší v závislosti na tloušťce, počtu a vzdálenosti InAs vrstev a je v řádu stovek MeV. Stávající teorie a modely umožňují vysvětlit tento posuv, v závislosti na výše uvedených parametrech, pouze v řádu desítek meV. Na základě teoretických představ a modelování budou navrženy série laserových struktur, které budou připraveny metodou MOVPE a charakterizovány pomocí EL, PL a laterální fotovodivostní spektroskopie. Získaná data budou využita pro upřesnění teoretických představ, vytvoření adekvátních modelů a simulaci procesu zářivé rekombinace. Cílem projektu je vypracovat model, přispět k teoretickému vysvětlení mechanismu posuvu emisních energií v závislosti na parametrech struktury a využít získané informace při optimalizaci konstrukce laserů.
Scientific branches
R&D category
ZV - Basic research
CEP classification - main branch
BM - Solid-state physics and magnetism
CEP - secondary branch
JA - Electronics and optoelectronics
CEP - another secondary branch
BH - Optics, masers and lasers
OECD FORD - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)<br>20201 - Electrical and electronic engineering
Completed project evaluation
Provider evaluation
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Project results evaluation
AIIIBV quantum well and dot structures were prepared and basic knowledge of MOVPE ultrathin layer growth was obtained. Radiative recombination mechanisms and laser emission from highly strained InAs/GaAs layers were measured and modelled.
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 2003
Realization period - end
Jan 1, 2005
Project status
U - Finished project
Latest support payment
—
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP06-AV0-IA-U/04:2
Data delivery date
Sep 26, 2007
Finance
Total approved costs
3,053 thou. CZK
Public financial support
1,543 thou. CZK
Other public sources
0 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK