Technological laboratory for growth and processing of semiconductor GaAs/GaAlAs heterostructures including quantum devices
Public support
Provider
Academy of Sciences of the Czech Republic
Programme
Scheme of targeted research and development support
Call for proposals
SAV0-SS2000
Main participants
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
—
Alternative language
Project name in Czech
Technologická laboratoř pro zpracování polovodičových heterostruktur GaAs/GaAlAs včetně kvantově rozměrných struktur do stádia využitelných vzorků
Annotation in Czech
Název projektu vytváří návaznost experimentální základny polovodičového badatelského výzkumu ve FzÚ AV ČR s pracovištěm součástkově zaměřeného výzkumu na FEL ČVUT. Cílem je vyvinout laboratorní vzorky vysokofrekvenčních prvků, založených na využití nových kvantových jevů, a ověřit jejich parametry využitelné pro praxi. Záměrem projektu je využit výsledků badatelského výzkumu ve FzÚ AV ČR v oblasti přípravy kvantově rozměrných heterostruktur na bázi GaAs/AlGaAs technologií MBE, a studia jejich vlastnostípomocí charakterizačních metod nízkoteplotního magnetotransportu a fotoluminiscence. Pracoviště však v současné době není dostatečně vybaveno pro práce aplikovaného charakteru. Protoje třeba zdokonalit vybavení pracoviště tak, aby v průběhu řešení projektu bylo možno na uvažovaných heterostrukturách připravit vzorky součástek, a na nich ve spolupráci s pracovištěch KME FEL ČVUT ověřit rozsah jejich praktické aplikovatelnost.
Scientific branches
R&D category
—
CEP classification - main branch
JA - Electronics and optoelectronics
CEP - secondary branch
—
CEP - another secondary branch
—
OECD FORD - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)
20201 - Electrical and electronic engineering
Completed project evaluation
Provider evaluation
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Project results evaluation
V průběhu řešení projektu byla zvládnuta příprava transistorových struktur HEMT a diodových struktur RTD a provedeno měření jejich vlastností. Závěrečná zpráva byla projednána formou veřejné oponentury.
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 2000
Realization period - end
Jan 1, 2003
Project status
U - Finished project
Latest support payment
—
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP/2004/AV0/AV04IB/U/N/4:3
Data delivery date
Oct 8, 2004
Finance
Total approved costs
11,088 thou. CZK
Public financial support
5,907 thou. CZK
Other public sources
5,181 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK