REACTIVE ION ETCHING OF HgCdTe AND RELATED II-VI COMPOUDS

Project name in Czech
Reaktivní iontové leptání HgCdTe a příbuzných II-VI sloučenin
Annotation in Czech
V rámci projektu budou ve Fyzikálním ústavu UK v Praze připraveny z taveniny monokrystaly HgCdTe a CdZnTe. Tyto materiály se používají jako detektory iz záření a jako substráty pro další polovodičové technologie (k přípravě epitaxních vrstev). Pomocí elektrických měření budou stanoveny fundamentální elektrické parametry danných materiálů (odpor, koncentrace majoritních nosičů proudu a jejich pohyblivost) v teplotním oboru 77-300K. Měřením indukovaných elektrických proudů (metoda EBIC) budou stanovenydifuzní délky minoritních nosičů v substrátech a bude určena korelace mezi základními elektrickými vlastnostmi a difúzními délkami minoritních nosičů.

R&D category
—
CEP classification - main branch
BM - Solid-state physics and magnetism
CEP - secondary branch
—
CEP - another secondary branch
—
OECD FORD - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Provider evaluation
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Project results evaluation
Závěrečná zpráva

Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP/2000/MSM/MSM0ME/U/4:1
Data delivery date
—

Project goals