Synthesis of GaN epitaxial layers by mono-energetic mass selective ion beams of very low energies

Project name in Czech
Syntéza epitaxních vrstev GaN pomocí monoenergetických, hmotnostně selektivních svazků o velmi nízkých energiích
Annotation in Czech
Hlavním záměrem navrhované spolupráce je kombinace a využití zkušeností výzkumných týmů VUT a ASU pro studium syntézy epitaxních vrstev GaN pomocí monoenergetických, hmotnostně selektivních svazků o velmi nízkých (tzv. hypertermálních) energiích. Bezprostředním cílem projektu je prozkoumání možnosti dosažení depozice epitaxních vrstev GaN s nízkou hustotou defektu. Main goal of the proposed cooperation is to use the expertise of the research teams of TU Brno and ASU for synthesis of epitaxial layers ofGaN by mono-energetic mass selective ion beams of very low energies. The direct objective of the project is to verify the possibility to deposit epitaxial GaN layers with low density of defects by this method.

R&D category
—
CEP classification - main branch
BM - Solid-state physics and magnetism
CEP - secondary branch
JR - Other machinery industry
CEP - another secondary branch
—
OECD FORD - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20301 - Mechanical engineering

Provider evaluation
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Project results evaluation
Bylo provedeno studium povrchů substrátů metodou STM, depozici vrstev Ga na substrátu Si(111) po různou depoziční dobu a za různých toků atomů Ga.

Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP/2002/MSM/MSM2ME/U/N/4:4
Data delivery date
Mar 23, 2004

Project goals