III-V nanostructures/heterostructures grown on lattice mismatechd substrates
Public support
Provider
Ministry of Education, Youth and Sports
Programme
KONTAKT
Call for proposals
KONTAKT 4 (SMSM200600ME1)
Main participants
—
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
1 016/2006-32
Alternative language
Project name in Czech
Růst nanostruktur/heterostruktur polovodičů A3B5 na mřížkově nepřizpůsobených podložkách
Annotation in Czech
výzkum růstových mechanismů, mikrostruktury elektronových a optických vlastností hetero - a nanostruktur polovodičů A3B5 pěstovaných na strukturně nepřizpůsobených podložkách, korelace struktury a fyzikálních vlastností
Scientific branches
R&D category
NV - Nonindustrial research (Applied research excluded Industrial research)
CEP classification - main branch
JA - Electronics and optoelectronics
CEP - secondary branch
—
CEP - another secondary branch
—
OECD FORD - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)
20201 - Electrical and electronic engineering
Completed project evaluation
Provider evaluation
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Project results evaluation
The technology&properties of porous InP,GaAs&GaP substrates intended for subsequent non izoperiodical epitaxial growth was studied.The further growth by MOVPE of InAs buffer layers obtained growth&serving as transitional layer for higher quality
Solution timeline
Realization period - beginning
Mar 1, 2006
Realization period - end
Dec 31, 2007
Project status
U - Finished project
Latest support payment
Mar 26, 2007
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP08-MSM-ME-U/02:2
Data delivery date
Oct 27, 2008
Finance
Total approved costs
1,118 thou. CZK
Public financial support
200 thou. CZK
Other public sources
0 thou. CZK
Non public and foreign sources
918 thou. CZK