Filters
REACTIVE ION ETCHING OF HgCdTe AND RELATED II-VI COMPOUDS (ME 115)
HgCdTe and CdZnTe single crystals will be prepared from the melt in the Institute of Physics, Charles University. These materials are used ad IR detectors and as substrates for other semiconductor technologies (e.g.for epitaxial layers). Fun...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1996 - 1999 •
- 561 tis. Kč •
- 377 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 1. 1996 - 1. 1. 1999
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (67%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Electron Transitions in Low-Dimensional Structures Based on Semiconductor HgCdTe (GA202/93/0027)
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1993 - 1995 •
- 712 tis. Kč •
- 1 424 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 1993 - 1. 1. 1995
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (200%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Growth of high quality II-VI single crystals (technology and thermodynamic model) (GA202/96/1188)
of gama rays (CdTe, CdZnTe) is expected. Processes of solidification of HgCdTe...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1996 - 1998 •
- 3 193 tis. Kč •
- 2 630 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 1996 - 1. 1. 1998
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (82%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
- 1 - 3 out of 3