Filters
WISEGaN - New generation of InGaN layers, quantum wells and wires grown on vicinal GaN substrates for optoelectronics and photovoltaics (8F15002)
InGaN layers, quantum wells and wires are the most important parts), and photovoltaic cells. However, InGaN is very difficult to be grown because of low growth to develop technology of InGaN epi-structures which will have a...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2015 - 2018 •
- 3 480 tis. Kč •
- 3 480 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 10. 2015 - 31. 12. 2018
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Structures for fast, energy-efficient and logic electronics based on GaN (FEELGaN) (GA25-18221S)
such as InGaN capping. The most important part of the project is development of new concept of complementary HEMT structures based on InGaN capping. Function of this devices is based......
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
- 2025 - 2027 •
- 6 793 tis. Kč •
- 6 752 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2025 - 31. 12. 2027
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (99%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Nitride heterostructures for fast detection of ionizing radiation (GA16-11769S)
will be tested in this project: thinning of QW thickness, introduction of deep InGaN QW...
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
- 2016 - 2019 •
- 3 053 tis. Kč •
- 2 981 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2016 - 29. 11. 2019
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (98%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Metal vacancies, their complexes and clusters in nitride semiconductors (GF22-28001K)
The project aim is to find a link between the concentration of vacancies in GaN, InGaN, AlGaN and AlInGaN layers and technological parameters of metalorganic vapor phase epitaxy. Technological conditions for clustering of vacancies and bindi...
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
- 2022 - 2024 •
- 8 870 tis. Kč •
- 8 576 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2022 - 31. 12. 2024
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (97%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Fast displaying screen for ionizing, UV and EUV radiation (TH02010580)
The main aim of this project is a development of technology and preparation of unique, not yet available, fast (in the scale of ns) InGaN/GaN screens with high resolution (in the scale of nm) for visualisation of ionizing radiation and prepa...
BH - Optika, masery a lasery
- 2017 - 2020 •
- 17 322 tis. Kč •
- 10 230 tis. Kč •
- TA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2017 - 31. 12. 2020
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (59%)
Poskytovatel: Technologická agentura ČR
Nanoscintillators based on ultrafast luminescent multiple quantum well structures and composites (GJ20-05497Y)
, namely InGaN/GaN multiple quantum well (MQW), ZnO and CsPbBr3 nanostructures...
Nano-materials (production and properties)
- 2020 - 2023 •
- 4 347 tis. Kč •
- 4 347 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2020 - 30. 6. 2023
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
- 1 - 6 out of 6