Filters
Research and Development of Technologies of Manufacturing of Novel Species of Silicon Wafers (FR-TI3/031)
homogeneity of layer thickness and dopant concentration; controlled axial profile of dopant) of epitaxial layers on 200 mm silicon substrates.......
JJ - Ostatní materiály
- 2011 - 2012 •
- 11 503 tis. Kč •
- 3 870 tis. Kč •
- MPO
Řešení projektu: 1. 1. 2011 - 31. 12. 2012
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (34%)
Poskytovatel: Ministerstvo průmyslu a obchodu
Examination of contrast in doped semiconductors with scanning low energy microscope with ultimate parameters (GP102/09/P543)
Our goal is to gather more complete information related to the origin of contrast between thedoped areas and semiconductor substrate, during examination in a scanning low energy electronmicroscope. The contrast mechanism, whether related to the effec...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2009 - 2010 •
- 567 tis. Kč •
- 567 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2009 - 31. 12. 2010
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Microstructure and functional properties refinement by dopant distribution in transparent ceramics – combined experimental and theoretical approach (GA20-14237S)
be provoked by adding a dopant. The proper function of the dopant is conditioned by its homogeneous distribution in the system. The project aims to describe the dopant with photoluminescent properties. The dopant ...
Optics (including laser optics and quantum optics)
- 2020 - 2022 •
- 6 815 tis. Kč •
- 6 815 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2020 - 31. 12. 2022
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Ion Beam Analysis study of crystalline structures (KJB100480601)
materials. The dopant depth profiles, stoichiometry of crystalline structures will be measured by RBS, ERDA and PIXE.The positions of the interstitial dopants in doped......
BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače
- 2006 - 2008 •
- 793 tis. Kč •
- 793 tis. Kč •
- AV ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2006 - 31. 12. 2008
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Akademie věd České republiky
Few-modes active waveguides in silicate glasses (GP102/03/D041)
containing laser active dopants with aim to optimize their active function, (ii) research intothe possibilities of localized doping of surface glass layers with active dopants glass layers containing active dopants using p...
BH - Optika, masery a lasery
- 2003 - 2006 •
- 712 tis. Kč •
- 712 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2003 - 1. 1. 2006
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Band-Gap Engineering in Unconventional Semiconductors (8F21010)
of the major focuses is on defect/dopant engineering of TMDC, hBN, diamond in which vacancies and dopants can act as single-photon emitters. The primary objectives of the joint project are to correlate the nature of defect/dopa...
Optics (including laser optics and quantum optics)
- 2021 - 2024 •
- 3 222 tis. Kč •
- 3 222 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 11. 2021 - 31. 10. 2024
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Long-period gratings in singlemode detection fibers for refractive-index sensing prepared by CO2 laser exposure (GA102/03/0475)
. This residual stress will be tailored by selecting dopants capable to change properly of the cladding refractive-index profile. For this purpose, fibers with......
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2003 - 2005 •
- 12 946 tis. Kč •
- 5 084 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2003 - 1. 1. 2005
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (39%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Electronic properties of doped diamond in high electric fields (GA17-05259S)
outstanding properties, partial ionization of dopants and high resistivity of diamond to complete ionization of dopant under high electric fields. Despite its high potential orientations and dopant concentrations will be m...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2017 - 2021 •
- 5 938 tis. Kč •
- 4 912 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2017 - 31. 12. 2021
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (83%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Theoretical photochemistry in solid phase (8J23AT031)
which allows to provide a dynamic view on the electronic properties of dopants into photochemical reactions of dopant molecules with O2. • New computational protocols based......
Physical chemistry
- 2023 - 2024 •
- 96 tis. Kč •
- 96 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 1. 2023 - 31. 12. 2024
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
New large-molecular borane chemistry with an aim towards boron-dopant compounds for semiconductor industry (GP203/06/P398)
This proposal is aimed at the development of large-molecular, or 'macropolyhedral', boron hydride chemistry, with a focus on the generation of new macropolyhedral borane assemblies suitable for their application in the semiconductor manufacturing ind...
CA - Anorganická chemie
- 2006 - 2008 •
- 1 120 tis. Kč •
- 1 120 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2006 - 31. 12. 2008
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
- 1 - 10 out of 1 325