Photoluminescence quenching of porous silicon in gas and liquid phase The role of dielectric quenching and capillary condensation effects
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F04%3A00003141" target="_blank" >RIV/00216208:11320/04:00003141 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Photoluminescence quenching of porous silicon in gas and liquid phase The role of dielectric quenching and capillary condensation effects
Original language description
Photoluminescence quenching of porous silicon in gas and liquid phase The role of dielectric quenching and capillary condensation effects
Czech name
Zhášení FL porézního křemíku v plynné a kapalné fázi. Role dielektrického zhášení a kapilární kondenzace
Czech description
Zhášení FL porézního křemíku v plynné a kapalné fázi. Role dielektrického zhášení a kapilární kondenzace
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/GA203%2F03%2F0900" target="_blank" >GA203/03/0900: Optical porous-silicon-based sensors with enhanced recognition properties</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
4th International Conference Porous Semiconductors - Science and Technology
ISBN
84-608-0071-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
2
Pages from-to
414-415
Publisher name
4th International Conference ...
Place of publication
Spain
Event location
Spain
Event date
Jan 1, 2004
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—