Structural characterization of self-assembled semiconductor islands by three-dimensional X-ray diffraction mapping in reciprocal space

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F08%3A00100935" target="_blank" >RIV/00216208:11320/08:00100935 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Structural characterization of self-assembled semiconductor islands by three-dimensional X-ray diffraction mapping in reciprocal space
Original language description
Structural characterization of self-assembled semiconductor islands by three-dimensional X-ray diffraction mapping in reciprocal space
Czech name
Výzkum struktury samouspořádaných polovodičových kvantových teček pomocí trojrozměrného mapování v reciprokém prostoru
Czech description
Výzkum struktury samouspořádaných polovodičových kvantových teček pomocí trojrozměrného mapování v reciprokém prostoru

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—

Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Result description