MOS Capacitors

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU41732" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU41732 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
MOS Capacitors
Original language description
For economical reason, it is highly desirable to implement the analog part of mainly digital system on chip in standard CMOS process. The advantages are low cost and area requirements, the disadvantages are non-linear C-V characteristics and problems resulting from it. This paper describes possibilities of using standard MOSFET gate structure as capacitor.
Czech name
MOS kondenzátory
Czech description
Z ekonomických důvodů je výhodné implementovat analogovou část, převážně digitálního systému, na čipu ve standardním technologickém CMOS procesu. Výhody jsou nízká cena a malé prostorové nároky, nevýhodou je nelineární C-V charakteristika a problémy z toho vyplývající. Tento příspěvek popisuje možnosti použití standardního tranzistoru MOSFET jako kondenzátoru.

Project
<a href="/en/project/GD102%2F03%2FH105" target="_blank" >GD102/03/H105: Modern methods of electronic circuit analysis, design and applications</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection
Proceedings of the10th conference and competition Student EEICT 2004 Volume 3
ISBN
80-214-2636-5
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
5
Pages from-to
684-688
Publisher name
Ing. Zdeněk Novotný CSc., Ondráčkova 105, Brno
Place of publication
Brno
Event location
Brno
Event date
Jun 29, 2004
Type of event by nationality
CST - Celostátní akce
UT code for WoS article
—

Similar results(10)