High-frequency electron transport in a model ballistic MOSFET
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU46139" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU46139 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
High-frequency electron transport in a model ballistic MOSFET
Original language description
Simplified one-dimensional MOSFET model with dc-bias and small microwave signal.
Czech name
Vysokofrekvenční transport elektronů ve zjednodušeném modelu balistického tranzistoru MOSFET
Czech description
Zjednodušený model balistického tranzistoru MOSFET se stejnosmerným předpětím a malým vf signálem
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
The 5th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems ASDAM 2004
ISBN
0-7803-8535-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
219-222
Publisher name
IEEE - Catalog Number 04EX867
Place of publication
USA
Event location
Smolenice
Event date
Oct 17, 2004
Type of event by nationality
EUR - Evropská akce
UT code for WoS article
—