Nanoelectronic Device Structures at Terahertz Frequency
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU46147" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU46147 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Nanoelectronic Device Structures at Terahertz Frequency
Original language description
Potential barriers of different profiles with dc bias and small microwave signal, their complex admittance and other high-frequency parameters.
Czech name
Nanostruktury na terahertzových frekvencích
Czech description
Potenciálové bariéry různých profilů se stejnosměrným předpětím a malým střídavým signálem, jejich komplexní admitance.
Classification
Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
Acta Polytechnica
ISSN
1210-2709
e-ISSN
—
Volume of the periodical
2004
Issue of the periodical within the volume
3
Country of publishing house
CZ - CZECH REPUBLIC
Number of pages
6
Pages from-to
102-107
UT code for WoS article
—
EID of the result in the Scopus database
—