Driving circuits for power transistors MOSFET and IGBT
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU46918" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU46918 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Driving circuits for power transistors MOSFET and IGBT
Original language description
The present state and development trends in the field of drivers for power transistors MOSFET and IGBT are described in this article. The technology SMART-POWER-DEVICES is discussed. An attention is paid to the principle block schema of the driver including electronic protections. Especially the saturation protection and the galvanic separation of the switching signal is solved.
Czech name
Řídicí obvody pro tranzistory MOSFET a IGBT
Czech description
V článku je popsán současný stav a vývojové trendy v oblasti budičů výkonových spínacích tranzistorů MOS-FET a IGBT a v oblasti technologie SMART-POWER-DEVICES. Podrobně je diskutováno principiální blokové schéma budičů včetně elektronických ochran. Pozornost je zaměřena zejména na saturační nadproudovou ochranu a na galvanické oddělení řídicího signálu.
Classification
Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
ElectronicsLetters.com - http://www.electronicsletters.com
ISSN
1213-161X
e-ISSN
—
Volume of the periodical
2004
Issue of the periodical within the volume
1/7
Country of publishing house
CZ - CZECH REPUBLIC
Number of pages
8
Pages from-to
20-27
UT code for WoS article
—
EID of the result in the Scopus database
—