Near-field study of carrier dynamics in InAs/GaAs quantum dots grown on InGaAs layers
Result description
InAs/GaAs quantum dots (QDs) with ordered structure, due to their peculiar properties, open new way to design novel semiconductor devices such as single-electron transistors or highly parallel computing architectures. The lateral quantum dot alignment achieved during the self-assembly process is not well understood heretofore. The reason is, that quantum structures are usually small and studied at low temperatures. Conversely, the Scanning near-field optical microscopy (SNOM) allows study nanometer detaails in the non-offensive manner, in the room temperature with high spatial and temporal resolution. The first results of near-field optical study on aligned QDs are presented.
Keywords
semiconductorInAs/GaAsquantum dotscarrier dynamicsoptical imaginglateral superresolutionnear-field optics
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Near-field study of carrier dynamics in InAs/GaAs quantum dots grown on InGaAs layers
Original language description
InAs/GaAs quantum dots (QDs) with ordered structure, due to their peculiar properties, open new way to design novel semiconductor devices such as single-electron transistors or highly parallel computing architectures. The lateral quantum dot alignment achieved during the self-assembly process is not well understood heretofore. The reason is, that quantum structures are usually small and studied at low temperatures. Conversely, the Scanning near-field optical microscopy (SNOM) allows study nanometer detaails in the non-offensive manner, in the room temperature with high spatial and temporal resolution. The first results of near-field optical study on aligned QDs are presented.
Czech name
Studium dynamiky nosičů kvantových tečkách InAs/GaAs na vrstvách InGaAs pomocí blízkého pole
Czech description
Kvantové tečky InAs/GaAs s řízenou strukturou otevírají novou cestu k návrhu nových optoelektronických součástek jako jsou jednoelektronové tranzistory neby vysoce paralelní architektura počítačů. Příčné seřazení kvantových teček není dosud zcela objasněno, zejména z důvodu, že kvantové struktury musí být studovány při nízkých teplotách. Na druhou stranu SNOM umožní studovat nanometrické rozměry neofenzivním způsobem za pokojové teploty a to vše s vysokým prostorovým a časovým rozlišením. Článek přinášší první výsledky optických studií v blízkém poli kvantových teček.
Classification
Type
Jx - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
ME 544: Semiconductors - local optical and electrical properties
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
Materials Science Forum
ISSN
0255-5476
e-ISSN
—
Volume of the periodical
482
Issue of the periodical within the volume
1
Country of publishing house
CH - SWITZERLAND
Number of pages
4
Pages from-to
151-154
UT code for WoS article
—
EID of the result in the Scopus database
—
Basic information
Result type
Jx - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP
JA - Electronics and optoelectronics
Year of implementation
2005