Near-field study of carrier dynamics in InAs/GaAs quantum dots grown on InGaAs layers

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU47100" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU47100 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Near-field study of carrier dynamics in InAs/GaAs quantum dots grown on InGaAs layers

Original language description

InAs/GaAs quantum dots (QDs) with ordered structure, due to their peculiar properties, open new way to design novel semiconductor devices such as single-electron transistors or highly parallel computing architectures. The lateral quantum dot alignment achieved during the self-assembly process is not well understood heretofore. The reason is, that quantum structures are usually small and studied at low temperatures. Conversely, the Scanning near-field optical microscopy (SNOM) allows study nanometer detaails in the non-offensive manner, in the room temperature with high spatial and temporal resolution. The first results of near-field optical study on aligned QDs are presented.

Czech name

Studium dynamiky nosičů kvantových tečkách InAs/GaAs na vrstvách InGaAs pomocí blízkého pole

Czech description

Kvantové tečky InAs/GaAs s řízenou strukturou otevírají novou cestu k návrhu nových optoelektronických součástek jako jsou jednoelektronové tranzistory neby vysoce paralelní architektura počítačů. Příčné seřazení kvantových teček není dosud zcela objasněno, zejména z důvodu, že kvantové struktury musí být studovány při nízkých teplotách. Na druhou stranu SNOM umožní studovat nanometrické rozměry neofenzivním způsobem za pokojové teploty a to vše s vysokým prostorovým a časovým rozlišením. Článek přinášší první výsledky optických studií v blízkém poli kvantových teček.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/ME%20544" target="_blank" >ME 544: Semiconductors - local optical and electrical properties</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2005

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Materials Science Forum

ISSN

0255-5476

e-ISSN

—

Volume of the periodical

482

Issue of the periodical within the volume

1

Country of publishing house

CH - SWITZERLAND

Number of pages

4

Pages from-to

151-154

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—