Temperature dependency of semiconducotr laser

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU47979" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU47979 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Temperature dependency of semiconducotr laser
Original language description
This article is focused on an examination of degradation dependency of a semiconductor laser on a temperature of an LD package. Thermal conditions influence an emitter optical power, spectral component, which is emitted by the laser, electrical to optical power conversion efficiency and many others parameters. The criticality of the parasitic parameters is evaluated in this paper. These parasitic parameters must be considered carefully to eliminate them efficiently.
Czech name
Teplotní závislost laseru
Czech description
Článek pojednává o degradujících závislostech polovodičového laseru na teplotě pouzdra LD. Teplotní podmínky ovlivňují nejen emitovaný výkon, ale také mnohé další parametry jako například spektrální složku, na které laser svítí, účinnost konverze elektrické energie na optickou a další. Bude ukázáno jak kritické tyto parazitní vlastnosti mohou být a proto je jim třeba věnovat patřičnou pozornost a eliminovat je.

Project
<a href="/en/project/GD102%2F03%2FH105" target="_blank" >GD102/03/H105: Modern methods of electronic circuit analysis, design and applications</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)