Influence of charged centers on transport properties of thin film electroluminescent devices

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU50418" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU50418 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Influence of charged centers on transport properties of thin film electroluminescent devices

Original language description

Thin film electroluminescent devices (TFELD) have become of great interest since they offer a possible means of achieving a high-resolution, light-weight, compact video display panel for computer terminals or television screens [1].The realization of a full colour TFELD represented a problem due to the poor luminance of blue emission. To overcome this problem, the mechanism of electroluminescence (EL) should be investigated in detail to find out the way to improve the device properties. The basic mechannism of electroluminescence is based on high-field acceleration of electrons to optical energies at which luminescent centers, intentionally introduced into the host material, could be impact excited. So, the transport process of electrons under an electric field is the key process since it determines the electrons energy. This process is the result of interaction between the acceleration of electrons by the electric field and the scattering of electrons by some kinds of scattering mecha

Czech name

Vliv nábojů na transportní vlastnosti tenkovrstvých EL součástek

Czech description

Tenkovrstvé EL součástky(TFELD) nabízejí vysoké rozlišení a kompaktnost obrazovek pro počítače či TV. Realizace plnohodnotných barevných TFELD představuje problém, způsobený nedostatečnou svítivostí modrého záření. K překonání tohoto problému je nutné studovat mechanismu elektroluminiscence detailněji. Základní mechanismus EL je založen urychlení elektronů pomocí vysokého pole tak, aby se dostaly do oblasti optických energií, při nichž je možné excitovat jednotlivá zrnka fluoroforu. Tedy transport elekttronů v elektrickém poli je klíčovým procesem protože určuje energii elektronů. Tento proces je výsledkem interakce urychlení elektornů elektrickým polem a rozptylem elektronů. Nabitá centra obecně v EL vrstvě existují. V tomto článku je zkoumán procesrozptylu elektronů na těchto centech, který se projevuje v posunu fáze. Rozptyly, získané v jednotlivých případech jsou porovnánvány s ostatními mechanismy rozptylu. Proces transportu elektronů je simulován pomocí Monte Carlo metody. Jsou u

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2005

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

Photonics Prague 2005

ISBN

80-86742-08-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

2

Pages from-to

145-146

Publisher name

Zeithamlová Milena, Ing. - Agentura Action M

Place of publication

Prague

Event location

Praha

Event date

Jun 8, 2005

Type of event by nationality

WRD - Celosvětová akce

UT code for WoS article

—