Local optical phenomena in InAs/GaAs heterostructures with quantum dots and artificial molecules

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU50746" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU50746 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Local optical phenomena in InAs/GaAs heterostructures with quantum dots and artificial molecules

Original language description

Due to a long electron lifetime at the excited levels of quantum dot (QDs), the use of QDs as a basis for new optoelectronic devices is very promising. Inter- and intraband light absorption studies in QDs are useful not only for investigations of photodetectors but they also are the necessary condition of the development of new types of mid-infrared lasers. In the paper the preliminary results of experimental and theoretical studies of the local optical phenomena in n- and p-doped InAs/GaAs QDs and arttificial molecules formed by pairs of QDs are presented. The peculiarities in local photoluminescence spectra can be associated with absorption peaks connected with intraband interlevel transitions of electrons and holes between the ground and excited states.

Czech name

Lokální optické jevy v InAs/GaAs heterostrukturách s kvantovými tečkami a umělými molekulami

Czech description

V důsledku dlouhé životnosti elektronů na excitovaných hladinách kvantových teček (QD), je velmi slibné použít kvantové tečky jako základní prvek nových optoelektronickcých součástek. Studium mezipásmové absorpce i absorpce v pásu je nutná nejen pro výzkum fotodetektorů, ale je i nutnou podmínkou pro vývoj nových typů laserů ve střední IČ oblasti. Článek přináší první teoretické i experimentální výsledky lokálních optických dějů, k nimž dochází v n- a p-dotovaných InAs/GaAs QD a umělých molekulách tvvořených páry QD. Význačné vlastnosti lokální spektra fotoluminiscence mohou být spojena s absorpčními maximy, které vyplývají z mezihladinových přechodů elektronů a děr mezi základním a vybuzeným stavem.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/ME%20544" target="_blank" >ME 544: Semiconductors - local optical and electrical properties</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2005

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Journal of the Korean Physical Society

ISSN

0374-4884

e-ISSN

—

Volume of the periodical

47

Issue of the periodical within the volume

96

Country of publishing house

KR - KOREA, REPUBLIC OF

Number of pages

4

Pages from-to

"S162"-"S165"

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—