RTS Noise in Submicron MOSFETs: Low and High Field Effects

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU52191" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU52191 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
RTS Noise in Submicron MOSFETs: Low and High Field Effects
Original language description
RTS noise amplitude and capture and emission processes time constants are analysed as a function of gate and drain voltage / lateral electric field intensity in submicron MOSFETs
Czech name
Šum RTS v submikronových MOSFETech: efekty nízké a vysoké intenzity pole
Czech description
Amplituda RTS šumu a časové konstanty procesů zachycení a emise jsou analyzovány jako funkce napětí na hradle a na kanále, resp. intenzity příčného elektrického pole v submikronových MOSFETech

Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection
Proceedings of EDS'05 Electronic Devices and Systems IMAPS CS Int. Conf.
ISBN
80-214-2990-9
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
8
Pages from-to
—
Publisher name
VUT
Place of publication
Brno
Event location
Brno
Event date
Sep 15, 2005
Type of event by nationality
CST - Celostátní akce
UT code for WoS article
—

Result description