Physical Description of Luminescent GaAsP Diodes

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU63741" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU63741 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
čeština
Original language name
Fyzikální popis luminiscenčních GaAsP diod
Original language description
V práci je uveden základní fyzikální popis a technologie přípravy luminiscenčních GaAsP diod s ohledem na využití při studiu lokálních nestabilit v mikroplazmatických oblastech PN přechodu, které vznikají v důsledku nehomogenit PN přechodů.
Czech name
Fyzikální popis luminiscenčních GaAsP diod
Czech description
V práci je uveden základní fyzikální popis a technologie přípravy luminiscenčních GaAsP diod s ohledem na využití při studiu lokálních nestabilit v mikroplazmatických oblastech PN přechodu, které vznikají v důsledku nehomogenit PN přechodů.

Project
<a href="/en/project/GA102%2F06%2F1551" target="_blank" >GA102/06/1551: Diagnostics of PN junction electronic devices by means of microplasma noise evaluation</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection
Workshop NDT 2006, Non-destructive Testing in Engineering Practise
ISBN
80-7204-487-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
55-58
Publisher name
Brno University of Technology
Place of publication
Brno
Event location
Brno
Event date
Nov 29, 2006
Type of event by nationality
EUR - Evropská akce
UT code for WoS article
—

Result description