Silicon-germanium heterojunction bipolar transistor: Simulation in Mathematica

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU64124" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU64124 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Silicon-germanium heterojunction bipolar transistor: Simulation in Mathematica
Original language description
The aim of this paper is to describe the simple simulation program developed for the student computer training in varous courses on semiconductor devices and structures. All calculations and graphical outputs are carried out in Mathematica.
Czech name
SiGe heteropřechodový bipolární tranzistor: simulace v Matematice
Czech description
Článek popisuje jednoduchý simulační program vyvinutý pro počítačová cvičení se studenty v různých předmětech týkajících se polovodičových součástek a struktur. Všechny výpočtu a grafické výstupy jsou realizovány v sytému Mathematica.

Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection
IMAPS EDS CS International Conference 2006 Proceedings
ISBN
80-214-3246-2
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
6
Pages from-to
360-365
Publisher name
Ing. Zdeněk Novotný
Place of publication
Brno
Event location
Brno
Event date
Sep 14, 2006
Type of event by nationality
CST - Celostátní akce
UT code for WoS article
—

Result description