RTS and 1/f Noise in Submicron MOSFETs

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU69176" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU69176 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

RTS and 1/f Noise in Submicron MOSFETs

Original language description

RTS noise was measured as a function of electric field and temperature. From the analysis of gate insulating layer current the energy band diagram of all structure was determined.

Czech name

RTS a 1/f Šum v submikronových MOSFETech

Czech description

Byla měřena závislost RTS šumu na intenzitě el. pole a teplotě. Na základě analýzy zbytkového proudu přes izolační vrstvu pod hradlem byl stanoven pásový diagram celé struktury.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA102%2F05%2F2095" target="_blank" >GA102/05/2095: Noise sources in semiconductor materials and devices</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2007

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

Proc. ICNF 2007 AIP Conf. Proc. Vol. 922

ISBN

978-0-7354-0432-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

4

Pages from-to

71-74

Publisher name

AIP

Place of publication

Tokio

Event location

Tokyo

Event date

Sep 9, 2007

Type of event by nationality

WRD - Celosvětová akce

UT code for WoS article

—