Porous-anodic-alumina-supported nanostructured Ta2O5/Ta films for advanced capacitors
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APR26579" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PR26579 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/Products.aspx" target="_blank" >http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/Products.aspx</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Porous-anodic-alumina-supported nanostructured Ta2O5/Ta films for advanced capacitors
Original language description
An advanced approach is implemented to fabricate Ta2O5/Ta films with highly porous nanostructured morphology and substantially enlarged surface-to-volume ratio via electrochemical anodizing of tantalum layers sputter-deposited over the nanoporous alumina substrates. Potential application of the films as metal/oxide electrodes for electrolytic and thin-film capacitors
Czech name
—
Czech description
—
Classification
Type
G<sub>funk</sub> - Functional sample
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
R - Projekt Ramcoveho programu EK
Others
Publication year
2012
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Internal product ID
Nanoporous tantalum oxide
Numerical identification
97476
Technical parameters
Formation voltage for porous alumina growth - 200...250V; Average pores diameters for alumina - 400 and 500 nm; Pore population density - 3.5x10E8 and 2.5x10E8 Anodising voltage for Ta - 0...50V; Thickness of Ta2O5 dielectric - 80 nm; Pore diameter for tantalum oxide film - 260 and 350 nm; Dielectric constant - 25; Increment in the surface area - 3...5 times; Pore aspect ratio - 1...3; Funkční vzorek byl na základě získaných poznatků zkonstruován a ověřen. Je využíván na pracovišti řešitele LabSensNano (VUT v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Ústav mikroelektroniky, Technická 3058/10, 616 00 Brno, Česká republika)
Economical parameters
The technology enables high-volume, low-cost solution for electronic passives Costs for developing 300.000 CZK
Application category by cost
—
Owner IČO
—
Owner name
Ústav mikroelektroniky
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
N - Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)
Licence fee requirement
—
Web page
http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/Products.aspx