Bulk-controlled sub-threshold MOS resistors for low-voltage applications
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F14%3APA21134" target="_blank" >RIV/00216305:26220/14:PA21134 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/304/304766.pdf" target="_blank" >http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/304/304766.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Podprahový MOS-rezistor pro aplikace s nízkým napájecím napětím
Original language description
Je prezentována koncepce nového aktivního integrovaného rezistoru, jenž je realizován prostřednictvím MOS tranzistoru, pracujícího v podprahové oblasti a lineárním režimu, díky čemuž dosahuje poměrně vysoké hodnoty odporu. Navrhované řešení využívá automatický ladicí obvod k nastavení a regulaci hodnoty odporu na principu "master - slave" a zároveň k dosažení výrobní a teplotní stability rezistoru. Unikátnost tohoto návrhu spočívá v tom, že na rozdíl od stávajících řešení využívá svorky bulk MOS tranzistoru jako řídicího hradla (proto bulk-driven), a díky tomu je obvod schopen pracovat při nízkém napájecím napětí. Navrhovaný obvod slouží především pro oblast návrhu integrovaných obvodů pro biomedicínské aplikace.
Czech name
Podprahový MOS-rezistor pro aplikace s nízkým napájecím napětím
Czech description
Je prezentována koncepce nového aktivního integrovaného rezistoru, jenž je realizován prostřednictvím MOS tranzistoru, pracujícího v podprahové oblasti a lineárním režimu, díky čemuž dosahuje poměrně vysoké hodnoty odporu. Navrhované řešení využívá automatický ladicí obvod k nastavení a regulaci hodnoty odporu na principu "master - slave" a zároveň k dosažení výrobní a teplotní stability rezistoru. Unikátnost tohoto návrhu spočívá v tom, že na rozdíl od stávajících řešení využívá svorky bulk MOS tranzistoru jako řídicího hradla (proto bulk-driven), a díky tomu je obvod schopen pracovat při nízkém napájecím napětí. Navrhovaný obvod slouží především pro oblast návrhu integrovaných obvodů pro biomedicínské aplikace.
Classification
Type
P - Patent
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/ED2.1.00%2F03.0072" target="_blank" >ED2.1.00/03.0072: Centre of sensor, information and communication systems</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2014
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Patent/design ID
304766
Publisher
CZ001 -
Publisher name
Industrial Property Office
Place of publication
Prague
Publication country
CZ - CZECH REPUBLIC
Date of acceptance
Aug 20, 2014
Owner name
Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ
Method of use
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence