Electrode array of paralel nano-contacts for selective nanowires alignment designed for sensors aplications - 2. generation
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F17%3APR29287" target="_blank" >RIV/00216305:26220/17:PR29287 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=136" target="_blank" >http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=136</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Elektrodové pole paralelnich nano-kontaktů pro selektivni kontaktování nanodrátů určené pro senzorické aplikace - 2. generace
Original language description
Elektrodové pole paralélních nano-kontaktů je vhodné pro kontaktovaní různých druhů nanodrátů délky větší než 3 µm a průměry do 300 nm. Tento čip s rozměry 5 x 5 mm obsahuje celkem 4 elektrodove pole s různým počtem kontaktovacích elektrod. Pomocí využití metody tzv. dielektroforézy je možné kontaktovat každé z elektodového pole jiným druhem nanodrátu a tak vytvořit vysoce citlivý selektivní chemický senzor. Čip je dostupný ve dvou modifikacich. První modifikace obsahuje elektrodový systém navržený pouze na dvouelektrodovém rezistivním měření. Druhá obsahuje třetí utopenou elektrodu, která umožňuje modulaci měření na principu FET (Field Effect Transistor).
Czech name
Elektrodové pole paralelnich nano-kontaktů pro selektivni kontaktování nanodrátů určené pro senzorické aplikace - 2. generace
Czech description
Elektrodové pole paralélních nano-kontaktů je vhodné pro kontaktovaní různých druhů nanodrátů délky větší než 3 µm a průměry do 300 nm. Tento čip s rozměry 5 x 5 mm obsahuje celkem 4 elektrodove pole s různým počtem kontaktovacích elektrod. Pomocí využití metody tzv. dielektroforézy je možné kontaktovat každé z elektodového pole jiným druhem nanodrátu a tak vytvořit vysoce citlivý selektivní chemický senzor. Čip je dostupný ve dvou modifikacich. První modifikace obsahuje elektrodový systém navržený pouze na dvouelektrodovém rezistivním měření. Druhá obsahuje třetí utopenou elektrodu, která umožňuje modulaci měření na principu FET (Field Effect Transistor).
Classification
Type
G<sub>funk</sub> - Functional sample
CEP classification
—
OECD FORD branch
21001 - Nano-materials (production and properties)
Result continuities
Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2017
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Internal product ID
SNW-GSA-2.GEN
Numerical identification
146370
Technical parameters
velikost čipu = 5 x 5 cm 4 elektrodové pole pro měření 2x 200 nm + 2x 300 nm Gate elektroda pro zesileni signálu odezvy sensor teploty na cipu
Economical parameters
naklady na výrobu cca 50 tis. Kč
Application category by cost
—
Owner IČO
—
Owner name
Ústav mikroelektroniky
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=136