A bulk-driven voltage attenuator
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F18%3APA21444" target="_blank" >RIV/00216305:26220/18:PA21444 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307308.pdf" target="_blank" >http://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307308.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Bulk-driven napěťový atenuátor
Original language description
Bulk-driven napěťový atenuátor obsahuje dva PMOS tranzistory kaskádově zapojené mezi napájecím napětím a zemí. Elektroda drain prvního tranzistoru je propojena s elektrodou source druhého tranzistoru, napájecí napětí je přivedeno na elektrodu source prvního tranzistoru. První vstupní napětí je vyvedeno na elektrodu bulk druhého tranzistoru, druhé vstupní napětí je vyvedeno na elektrodu bulk prvního tranzistoru. Výstupní napětí je vyvedeno z elektrody source druhého tranzistoru. Hradlo gate a elektroda drain druhého tranzistoru jsou uzemněné. Elektroda drain prvního tranzistoru je propojena s elektrodou source druhého tranzistoru. Hradlo gate prvního tranzistoru je vyvedeno na řídicí napětí, které zajišťuje, že úroveň stejnosměrného napětí na výstupu atenuátoru je na polovině napájecího napětí. Tím se zvyšuje rozsah vstupního napětí následujícího obvodu, který je připojen k výstupu atenuátoru, tj. na svorku výstupního napětí.
Czech name
Bulk-driven napěťový atenuátor
Czech description
Bulk-driven napěťový atenuátor obsahuje dva PMOS tranzistory kaskádově zapojené mezi napájecím napětím a zemí. Elektroda drain prvního tranzistoru je propojena s elektrodou source druhého tranzistoru, napájecí napětí je přivedeno na elektrodu source prvního tranzistoru. První vstupní napětí je vyvedeno na elektrodu bulk druhého tranzistoru, druhé vstupní napětí je vyvedeno na elektrodu bulk prvního tranzistoru. Výstupní napětí je vyvedeno z elektrody source druhého tranzistoru. Hradlo gate a elektroda drain druhého tranzistoru jsou uzemněné. Elektroda drain prvního tranzistoru je propojena s elektrodou source druhého tranzistoru. Hradlo gate prvního tranzistoru je vyvedeno na řídicí napětí, které zajišťuje, že úroveň stejnosměrného napětí na výstupu atenuátoru je na polovině napájecího napětí. Tím se zvyšuje rozsah vstupního napětí následujícího obvodu, který je připojen k výstupu atenuátoru, tj. na svorku výstupního napětí.
Classification
Type
P - Patent
CEP classification
—
OECD FORD branch
20201 - Electrical and electronic engineering
Result continuities
Project
<a href="/en/project/GA15-21942S" target="_blank" >GA15-21942S: Research of new analog integrated circuits design principles for battery-powered implantable and wearable biomedical devices</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2018
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Patent/design ID
307308
Publisher
CZ001 -
Publisher name
Industrial Property Office
Place of publication
Prague
Publication country
CZ - CZECH REPUBLIC
Date of acceptance
Apr 11, 2018
Owner name
VUT v Brně.
Method of use
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence