All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Preparation process of power laser single crystal slabs based on ytterbium-doped garnet aluminates with ASE suppression

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F25296558%3A_____%2F16%3AN0000010" target="_blank" >RIV/25296558:_____/16:N0000010 - isvavai.cz</a>

  • Alternative codes found

    RIV/68378271:_____/16:00476937

  • Result on the web

    <a href="https://isdv.upv.cz/webapp/webapp.pts.lst" target="_blank" >https://isdv.upv.cz/webapp/webapp.pts.lst</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    čeština

  • Original language name

    Příprava výkonových laserových monokrystalických slabů na bázi ytterbiem dopovaných aluminátů granátu s potlačením ASE

  • Original language description

    Příprava výkonových laserových monokrystalických slabů o průměru aktivního prostředí alespoň 70 mm na bázi monokrystalů ytterbiem dopovaných aluminátů granátu pěstovaných na orientovaném zárodku tažením z taveniny v redukční atmosféře pod víčkem, vyznačující se tím, že redukční atmosféra nad taveninou v tavném kelímku obsahuje v průběhu tavení minimálně 30 % obj. vodíku, následně je evakuována, a tavenina je homogenizována a zbavena rozpuštěných plynů mícháním drátem, přičemž po tomto procesu je vakuum opět nahrazeno redukční atmosférou pro zahájení pěstování krystalu na zárodku, načež je po dosažení požadované velikosti monokrystalu tento dále opracován běžnými mechanickými prostředky do polotovaru pro výrobu laserových slabů, přičemž tento polotovar je následně temperován při vysoké teplotě dosahující nejméně hodnoty 200 °C pod teplotou tání v ochranné atmosféře kyslíku nebo dusíku nebo vzduchu pro odstranění dislokací a konverzi aktivních laserových iontů a následně je opatřen absorpční vrstvou obsahující fyzikálně a/nebo chemicky vytvořená absorpční centra pro potlačení jevu zesílené spontánní emise (ASE), která jsou generována přímo v monokrystalickém materiálu a/nebo jsou tvořena dopantem v přidaném monokrystalickém materiálu spojeném s polotovarem laserového slabu vysokoteplotním pájením rekrystalizace povrchových vrstev, přičemž optické rozhraní této absorpční vrstvy s laserující částí monokrystalu je nerozeznatelné z hlediska indexu lomu a materiálové teplotní roztažnosti, načež se z polotovaru pro výrobu laserových slabů vyrobí opracovaný laserový slab s parametry povrchu odpovídajícími nárokům kladeným na laserový element.

  • Czech name

    Příprava výkonových laserových monokrystalických slabů na bázi ytterbiem dopovaných aluminátů granátu s potlačením ASE

  • Czech description

    Příprava výkonových laserových monokrystalických slabů o průměru aktivního prostředí alespoň 70 mm na bázi monokrystalů ytterbiem dopovaných aluminátů granátu pěstovaných na orientovaném zárodku tažením z taveniny v redukční atmosféře pod víčkem, vyznačující se tím, že redukční atmosféra nad taveninou v tavném kelímku obsahuje v průběhu tavení minimálně 30 % obj. vodíku, následně je evakuována, a tavenina je homogenizována a zbavena rozpuštěných plynů mícháním drátem, přičemž po tomto procesu je vakuum opět nahrazeno redukční atmosférou pro zahájení pěstování krystalu na zárodku, načež je po dosažení požadované velikosti monokrystalu tento dále opracován běžnými mechanickými prostředky do polotovaru pro výrobu laserových slabů, přičemž tento polotovar je následně temperován při vysoké teplotě dosahující nejméně hodnoty 200 °C pod teplotou tání v ochranné atmosféře kyslíku nebo dusíku nebo vzduchu pro odstranění dislokací a konverzi aktivních laserových iontů a následně je opatřen absorpční vrstvou obsahující fyzikálně a/nebo chemicky vytvořená absorpční centra pro potlačení jevu zesílené spontánní emise (ASE), která jsou generována přímo v monokrystalickém materiálu a/nebo jsou tvořena dopantem v přidaném monokrystalickém materiálu spojeném s polotovarem laserového slabu vysokoteplotním pájením rekrystalizace povrchových vrstev, přičemž optické rozhraní této absorpční vrstvy s laserující částí monokrystalu je nerozeznatelné z hlediska indexu lomu a materiálové teplotní roztažnosti, načež se z polotovaru pro výrobu laserových slabů vyrobí opracovaný laserový slab s parametry povrchu odpovídajícími nárokům kladeným na laserový element.

Classification

  • Type

    P - Patent

  • CEP classification

    BH - Optics, masers and lasers

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.

  • Continuities

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Others

  • Publication year

    2016

  • Confidentiality

    C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Data specific for result type

  • Patent/design ID

    305900

  • Publisher

    CZ001 -

  • Publisher name

    Industrial Property Office

  • Place of publication

    Prague

  • Publication country

    CZ - CZECH REPUBLIC

  • Date of acceptance

    Mar 16, 2016

  • Owner name

    CRYTUR, spol. s r.o. a Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i., Praha 8, CZ

  • Method of use

    B - Výsledek je využíván orgány státní nebo veřejné správy

  • Usage type

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence