Scintillation detector for the detection of ionizing radiation
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F25296558%3A_____%2F19%3AN0000021" target="_blank" >RIV/25296558:_____/19:N0000021 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/68378271:_____/19:00520194
Result on the web
<a href="https://isdv.upv.cz/webapp/!resdb.pta.frm" target="_blank" >https://isdv.upv.cz/webapp/!resdb.pta.frm</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Scintilační detektor pro detekci ionizujícího záření
Original language description
Scintilační detektor pro detekci ionizujícího záření zahrnující alespoň dvě nitridové polovodičové vrstvy uspořádané do vrstvené heterostruktury, jejíž struktura obsahuje alespoň jednu vrstvu potenciálové jámy pro zářivé rekombinace elektronů a děr, a dále zahrnující aktivní oblast heterostruktury sestávající z alespoň jedné aktivní dvojice nitridových polovodičových vrstev složené z bariérové vrstvy a z vrstvy potenciálové jámy, přičemž je nad nejvýše se nacházející aktivní dvojicí vrstev uspořádána alespoň jedna vrchní nitridová polovodičová vrstva. Dále je na alespoň jedné straně aktivní oblasti a/nebo uvnitř aktivní oblasti vložena alespoň jedna vrstva s gradovaným složením, která sousedí s krajní vrstvou potenciálové jámy, pro snížení potenciálové bariéry a usnadnění migrace elektronů a děr do aktivní oblasti heterostruktury.
Czech name
Scintilační detektor pro detekci ionizujícího záření
Czech description
Scintilační detektor pro detekci ionizujícího záření zahrnující alespoň dvě nitridové polovodičové vrstvy uspořádané do vrstvené heterostruktury, jejíž struktura obsahuje alespoň jednu vrstvu potenciálové jámy pro zářivé rekombinace elektronů a děr, a dále zahrnující aktivní oblast heterostruktury sestávající z alespoň jedné aktivní dvojice nitridových polovodičových vrstev složené z bariérové vrstvy a z vrstvy potenciálové jámy, přičemž je nad nejvýše se nacházející aktivní dvojicí vrstev uspořádána alespoň jedna vrchní nitridová polovodičová vrstva. Dále je na alespoň jedné straně aktivní oblasti a/nebo uvnitř aktivní oblasti vložena alespoň jedna vrstva s gradovaným složením, která sousedí s krajní vrstvou potenciálové jámy, pro snížení potenciálové bariéry a usnadnění migrace elektronů a děr do aktivní oblasti heterostruktury.
Classification
Type
P - Patent
CEP classification
—
OECD FORD branch
20500 - Materials engineering
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TH02010580" target="_blank" >TH02010580: Fast displaying screen for ionizing, UV and EUV radiation</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2019
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Patent/design ID
307721
Publisher
CZ001 -
Publisher name
Industrial Property Office
Place of publication
Prague
Publication country
CZ - CZECH REPUBLIC
Date of acceptance
Feb 6, 2019
Owner name
CRYTUR, spol. s r.o.; Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i.
Method of use
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence