Gettering capability and structure of polycrystalline silicon layers
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F06%3A%230000007" target="_blank" >RIV/26821532:_____/06:#0000007 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Gettering capability and structure of polycrystalline silicon layers
Original language description
Utilization of multilayer system of polycrystalline silicon ? silicon dioxide for backside gettering as well as the idea of its function is subject of US Patent proceedings and is proprietary of ON Semiconductor Czech Republic
Czech name
Getrační schopnosti a struktura polykrystalicjých křemíkových vrstev
Czech description
Využití systému multivrstev polykrystalického křemíku - oxidu křemíku pro zvýšení getračních schopností zadní strany křemíkové desky a vysvětlení funkce multivrstev pro zvýšení getračních schopností křemíkových desek.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/FI-IM2%2F131" target="_blank" >FI-IM2/131: *Research and development of advanced silicon wafer for sub-micron technologies.</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
SILICON 2006
ISBN
80-239-7781-4
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
408-411
Publisher name
TECON Scientific, s.r.o. (ed. K. Vojtěchovský)
Place of publication
Rožnov pod Radhoštěm (CZ)
Event location
Rožnov pod Radhoštěm (CZ)
Event date
Nov 7, 2006
Type of event by nationality
EUR - Evropská akce
UT code for WoS article
—