Technology for production of a silicon sensor of ionizing radiation on 6" FZ-Si substrates

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F07%3A%230000017" target="_blank" >RIV/26821532:_____/07:#0000017 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

čeština

Original language name

Technologie výroby křemíkového senzoru ionizujícího záření na 150mm FZ-Si substrátu

Original language description

Byla vyvinuta technologie výroby velkoplošného křemíkového senzoru na substrátu taženém metodou letmé zóny o průměru 150mm.

Czech name

Technologie výroby křemíkového senzoru ionizujícího záření na 150mm FZ-Si substrátu

Czech description

Byla vyvinuta technologie výroby velkoplošného křemíkového senzoru na substrátu taženém metodou letmé zóny o průměru 150mm.

Type

Z_x - Unclassified - Trial operation, verified technology, variety, breed

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/FI-IM2%2F166" target="_blank" >FI-IM2/166: *Research and development of the technology for production of radiation detectors on 6" silicon substrates.</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2007

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Internal product ID

6"detektor

Numerical identification

—

Technical parameters

tloušťka detektoru 625um, plocha pixelu 50x50um2, operační napětí 100V, průrazné napětí >150V

Economical parameters

odhadované zvýšení tržeb v 1.roce o 10mil.Kč

Application category by cost

—

Owner IČO

26821532

Owner name

ON Semiconductor Czech Republic, s.r.o., právní nástupce

Owner country

CZ - CZECH REPUBLIC

Usage type

N - Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)

Licence fee requirement

—

Web page

—