Křemíkový substrát průměru 200 mm pro heteroepitaxní aplikace

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F17%3AN0000007" target="_blank" >RIV/26821532:_____/17:N0000007 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/26821532:_____/21:N0000017
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Křemíkový substrát průměru 200 mm pro heteroepitaxní aplikace
Original language description
8“ polished silicon wafers for heteroepitaxial application, heavily a slightly doped substrates.
Czech name
—
Czech description
—

Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2017
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID
W8586B00
Numerical identification
TH02010014-V5
Technical parameters
Funkční vzorky silně (a slabě) legovaných Si substrátů průměru 200 mm pro GaN MOCVD. DAR18413919 (DAR18413917) - specifikace desky v souladu s 52MON04604D, General Specification for Polished and Epitaxial Silicon Wafers, řízený dokument id 52AON81953G (52AON81952G), specifikace id W8586B00 (W8583B00), verze O schválena v korporátním systemu AGILE 1/2018. Leštěný křemíkový substrát, 200.0 ± 0.1 mm; Wafer Thickness 1150 ± 15 um; Surface Orientation On <111> 0°± 0.5°; CZ Si:B; <111>; Resistivity/Radial Variation max. 0.003 Ohm.cm (5.0 – 50.0 Ohm.cm)/ max. 10% per SEMI MF81, Plan B @ 6mm; Oxygen Concentration/Oxygen Radial Variation 26.0 – 35.0 ppma per SEMI MF1188, Plan C @ 6mm; Thickness Variation (TTV) max. 6.0 um; Bow max. 10.0 μm; Warp max. 40.0 um; Flatness max. 3.0 μm GTIR; Site Flatness max. 1.5 μm SFQD (SFPD).
Economical parameters
Výsledek využit pro vlastní výrobní operace. Výrobní cena leštěné křemíkové desky < 60 USD.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
—
Web page
—

Result description