Technology for heteroepitaxial growth for semiconductor appliacations with substrates of 200 mm diameter
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000011" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000011 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Technologie heteroepitaxního růstu pro polovodičové aplikace na substrátech průměru 200 mm
Original language description
Kvalifikovaná technologie heteroepitaxního růstu Ga(Al)N pro polovodičové aplikace na substrátech průměru 200 mm, výrobní linka CZ2 (Rožnov), zařízení VEECO.
Czech name
Technologie heteroepitaxního růstu pro polovodičové aplikace na substrátech průměru 200 mm
Czech description
Kvalifikovaná technologie heteroepitaxního růstu Ga(Al)N pro polovodičové aplikace na substrátech průměru 200 mm, výrobní linka CZ2 (Rožnov), zařízení VEECO.
Classification
Type
Z<sub>tech</sub> - Verified technology
CEP classification
—
OECD FORD branch
20501 - Materials engineering
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TH02010014" target="_blank" >TH02010014: Novel semiconductor structures for advanced electronic applications</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2021
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
TH02010014-V25
Numerical identification
—
Technical parameters
Kvalifikovaná technologie heteroepitaxního růstu Ga(Al)N pro polovodičové aplikace na substrátech průměru 200 mm, výrobní linka CZ2 (Rožnov) - MOCVD reaktor Veeco Propel C2 pro růst nitridových heterostruktur pro 650V e-mode HEMT technologii na substrátu průměru 200 mm.
Economical parameters
Kapacita 3 desky v běhu, 6 desek/den, výrobní náklady <2 tis. USD/deska.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
—
Web page
—