All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Technology for heteroepitaxial growth for semiconductor appliacations with substrates of 200 mm diameter

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000011" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000011 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    čeština

  • Original language name

    Technologie heteroepitaxního růstu pro polovodičové aplikace na substrátech průměru 200 mm

  • Original language description

    Kvalifikovaná technologie heteroepitaxního růstu Ga(Al)N pro polovodičové aplikace na substrátech průměru 200 mm, výrobní linka CZ2 (Rožnov), zařízení VEECO.

  • Czech name

    Technologie heteroepitaxního růstu pro polovodičové aplikace na substrátech průměru 200 mm

  • Czech description

    Kvalifikovaná technologie heteroepitaxního růstu Ga(Al)N pro polovodičové aplikace na substrátech průměru 200 mm, výrobní linka CZ2 (Rožnov), zařízení VEECO.

Classification

  • Type

    Z<sub>tech</sub> - Verified technology

  • CEP classification

  • OECD FORD branch

    20501 - Materials engineering

Result continuities

  • Project

    <a href="/en/project/TH02010014" target="_blank" >TH02010014: Novel semiconductor structures for advanced electronic applications</a><br>

  • Continuities

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Others

  • Publication year

    2021

  • Confidentiality

    C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Data specific for result type

  • Internal product ID

    TH02010014-V25

  • Numerical identification

  • Technical parameters

    Kvalifikovaná technologie heteroepitaxního růstu Ga(Al)N pro polovodičové aplikace na substrátech průměru 200 mm, výrobní linka CZ2 (Rožnov) - MOCVD reaktor Veeco Propel C2 pro růst nitridových heterostruktur pro 650V e-mode HEMT technologii na substrátu průměru 200 mm.

  • Economical parameters

    Kapacita 3 desky v běhu, 6 desek/den, výrobní náklady <2 tis. USD/deska.

  • Application category by cost

  • Owner IČO

    26821532

  • Owner name

    ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

  • Owner country

    CZ - CZECH REPUBLIC

  • Usage type

    V - Výsledek je využíván vlastníkem

  • Licence fee requirement

  • Web page