Methods for measurement of nitride structures in semiconductor industry

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000012" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000012 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
čeština
Original language name
Metody měření nitridových struktur v polovodičovém průmyslu
Original language description
Kvalifikované metody pro charakterizaci nitridových struktur v polovodičovém průmyslu. tj. analýza strukturních vlastnosti a defektů ve vrstvě a na povrchu pro desky průměru 200 mm, ideálně nedestruktivní, v nutném případě (např. SEM) se stanovenou četností vzorkování.
Czech name
Metody měření nitridových struktur v polovodičovém průmyslu
Czech description
Kvalifikované metody pro charakterizaci nitridových struktur v polovodičovém průmyslu. tj. analýza strukturních vlastnosti a defektů ve vrstvě a na povrchu pro desky průměru 200 mm, ideálně nedestruktivní, v nutném případě (např. SEM) se stanovenou četností vzorkování.

Project
<a href="/en/project/TH02010014" target="_blank" >TH02010014: Novel semiconductor structures for advanced electronic applications</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2021
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID
TH02010014-V19
Numerical identification
—
Technical parameters
Metoda měření složení AlGaN vrstvy, která je jednou z klíčových částí aktivní heterostruktury GaN/AlGaN/pGaN v enhancement mode HEMT struktuře. Vhodnou metodou je mapování složení AlGaN pomocí fotoluminiscence - zařízení Nanometrics RPM Blue: Úspěšně dokončená akceptace zařízení a ověření opakovatelnosti a reprodukovatelnosti měření. Kalibrace výpočtu obsahu Al v AlGaN z měřené polohy AlGaN signálu pomocí dat z rentgenové difrakce. Zavedení monitoringu stability MOCVD růstu AlGaN bariéry dedikovanou strukturou. Optimalizace receptu pro měření tenké AlGaN vrstvy s nízkou intenzitou signálu. Kvalifikace zařízení pro mapování složení AlGaN (CAB 19_126) - ověření technologie.
Economical parameters
Cena technologie <400 tis.$
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
—
Web page
—

Similar results(10)