Technology for manufacturing of radiation tolerant SiC devices

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F24%3AN0000004" target="_blank" >RIV/26821532:_____/24:N0000004 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://www.onsemi.com" target="_blank" >http://www.onsemi.com</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
čeština
Original language name
Technologický postup výroby radiačně odolných SiC součástek
Original language description
Technologický postup výroby radiačně odolných SiC součástek: Plně integrovaný proces výroby diskrétních vysoko výkonových polovodičových součástek typu dioda nebo FET (tranzistor řízený polem) na vlastním polovodičovém substrátu SiC (4H) o průměru 150 mm, tloušťky 350 um. Výrobní postup kvalifikovaný v MES PROMIS, ověřen na skupině funkčních vzorků SiC diod.
Czech name
Technologický postup výroby radiačně odolných SiC součástek
Czech description
—

Project
<a href="/en/project/TK05020011" target="_blank" >TK05020011: R&D of Radiation Tolerant Semiconductor Solutions</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2024
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID
TK05020011-V1
Numerical identification
2025050200111
Technical parameters
Technologický postup výroby radiačně odolných SiC součástek: plně integrovaný proces výroby diskrétních vysoko výkonových polovodičových součástek typu dioda nebo FET (tranzistor řízený polem) na vlastním polovodičovém substrátu SiC (4H) o průměru 150 mm, tloušťky 350 um. Výrobní postup kvalifikovaný v MES PROMIS, ověřen na skupině funkčních vzorků SiC diod.
Economical parameters
Ekonomické parametry: cena (epitaxního) substrátu SiC průměru 150 mm - max. 1300 USD, cena finální SiC desky se součástkami: max. 1700 USD, očekávaná kapacita vlastní výrobní linky: min. 50 desek/týden.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
www.onsemi.com

Similar results(10)