Operating process description for wet silicon oxide formation on Si wafers of 150 mm diameter during temperature of 960°C from hot demineralized H2O with uniformity of SiO2 layer thickness up to +/-2%
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F27711170%3A_____%2F13%3A%230000035" target="_blank" >RIV/27711170:_____/13:#0000035 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Procesní návodky pro vytváření vlhkých křemíkových oxidů při teplotě 960°C z horké demineralizované H2O s homogenitou tloušťky SiO2 vrstev do +/-2% na Si deskách o průměru 150 mm.
Original language description
Byla vyvinuta technologie pro vytváření vlhkých křemíkových oxidů při teplotě 960°C z horké demineralizované H2O s homogenitou tloušťky SiO2 vrstev do +/-2% na Si deskách o průměru 150 mm. Tato procesní návodka specifikuje detaily vytváření daných oxidůza výše uvedených podmínek.
Czech name
Procesní návodky pro vytváření vlhkých křemíkových oxidů při teplotě 960°C z horké demineralizované H2O s homogenitou tloušťky SiO2 vrstev do +/-2% na Si deskách o průměru 150 mm.
Czech description
Byla vyvinuta technologie pro vytváření vlhkých křemíkových oxidů při teplotě 960°C z horké demineralizované H2O s homogenitou tloušťky SiO2 vrstev do +/-2% na Si deskách o průměru 150 mm. Tato procesní návodka specifikuje detaily vytváření daných oxidůza výše uvedených podmínek.
Classification
Type
N<sub>metC</sub> - Methodology certified by the authorised body
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TA01020972" target="_blank" >TA01020972: Modification of the particular technology facilities of the batch processes for the yield enhancement of the highly efficient silicon solar cells using the numerical and physical pre- and post-processing models CFD-ACE+ and Flow Simulation.</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2013
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
SVMSiO2-Sol-02
Regulation ID
A-2013-12-9-SVMSiO2-Sol-02
Technical parameters
Na Si deskách o průměru 150 mm lze při vytváření vlhkých křemíkových oxidů při teplotě 960°C z horké demineralizované H2O dosáhnout homogenity tloušťky SiO2 vrstev do +/-2%.
Economical parameters
Zvýšení homogenity tloušťky SiO2 vrstev má pozitivní vliv jak na zvýšení účinnosti solárních článků, tak na zvýšení efektivity výroby článků samotných. Vyšší účinnost solárních článků přináší pozitivní ekonomický efekt (vyšší prodejní cena).
Certification body designation
SVCS Process Innovation s.r.o., Optátova 37, Brno 637 00
Date of certification
—
Method of use
C - Výsledek je využíván bez omezení okruhu uživatelů