Proved technology of solar cell manufacturing based on monocrystalline silicon with one-side textured surface and with front side PN junction.

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49610040%3A_____%2F13%3A%2A0000100" target="_blank" >RIV/49610040:_____/13:*0000100 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

čeština

Original language name

Ověřená technologie procesu výroby solárního článku z monokrystalického křemíku s jednostranně texturovaným povrchem a s PN přechodem pouze na přední straně.

Original language description

Byl navržen a ověřen alternativní technologický postup vytvoření struktury solárního článku s hladkým povrchem zadní strany solárního článku a s PN přechodem pouze na přední straně, tedy bez nutnosti provádění procesu izolace podél hran. Tento postup jezaložený na principu maskování povrchu jedné strany dielektrickou vrstvou SiNx deponovanou technologií PECVD. Na podkladě provedení a vyhodnocení testů leptání "mokrou" chemickou cestou byl pro uplatnění v dané technologii výroby solárních článků stanoven vhodný proces leptání zadní strany křemíkového substrátu.

Czech name

Ověřená technologie procesu výroby solárního článku z monokrystalického křemíku s jednostranně texturovaným povrchem a s PN přechodem pouze na přední straně.

Czech description

Byl navržen a ověřen alternativní technologický postup vytvoření struktury solárního článku s hladkým povrchem zadní strany solárního článku a s PN přechodem pouze na přední straně, tedy bez nutnosti provádění procesu izolace podél hran. Tento postup jezaložený na principu maskování povrchu jedné strany dielektrickou vrstvou SiNx deponovanou technologií PECVD. Na podkladě provedení a vyhodnocení testů leptání "mokrou" chemickou cestou byl pro uplatnění v dané technologii výroby solárních článků stanoven vhodný proces leptání zadní strany křemíkového substrátu.

Type

Z_tech - Verified technology

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/FR-TI1%2F599" target="_blank" >FR-TI1/599: Proposal of the Process of Single Side Etching of Silicon Wafer for the Application into the Process of Photovoltaic Solar Cells Production</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2013

Confidentiality

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID

1-01-014

Numerical identification

—

Technical parameters

Ověřená technologie procesu výroby solárního článku z monokrystalického křemíku s jednostranně texturovaným povrchem a s PN přechodem pouze na přední straně je popsána v procesním předpisu 1-01-014 uloženého v databázi firmy Solartec. Pro danou technologii byly vyvinuty, testovány a zavedeny operace (viz příslušné operační návodky): oboustranné kyselé leptání povrchu křemíkového substrátu (2 - 11 - 016), depozice maskovacího nitridu (2 - 14 -004), čištění od grafitu (2 - 11 - 013), jednostranná texturace povrchu (2 - 11 - 003) a oleptání maskovacího nitridu (2 - 11 - 017). Výsledek slouží k vlastnímu využití a byla podepsána Smlouva o využití výsledků výzkumu a vývoje 2012/FR-TI1/599, s MPO ze dne 21.12.2012. Kontaktní osoba: Ing. Renáta Zetková, tel:601375825, email: renata.zetkova@solartec.cz

Economical parameters

Ověřená technologie bude využita realizátorem výsledku při řešení komerčních zakázek na výrobu zákaznických solárních článků a FV modulů. Dále bude technologie využita realizátorem pro vývoj nových pokročilých struktur solárních článků s vysokou konverzní účinností.

Application category by cost

—

Owner IČO

49610040

Owner name

Solartec s.r.o.

Owner country

CZ - CZECH REPUBLIC

Usage type

N - Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)

Licence fee requirement

—

Web page

—