Optimalization of processes for forming of silicon substrate surface morphology for assuring of suitable optical and electronic features of monocrystalline silicon solar cells under utilization of surface structure analysis.
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49610040%3A_____%2F13%3A%2A0000102" target="_blank" >RIV/49610040:_____/13:*0000102 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Optimalizace procesu úpravy morfologie povrchu křemíkového substrátu pro zajištění vhodných optických a elektronických vlastností monokrystalického křemíkového solárního článku s využitím analýz povrchových struktur
Original language description
The developed method describes a method for analyzing and evaluating the morphology of the structured surface of the silicon substrate using an AFM, eventually LSM and the appropriate software. It serves to determine the process conditions of etching thesurface of the silicon substrate to achieve optimum morphology for manufacturing solar cells with high efficiency.
Czech name
Optimalizace procesu úpravy morfologie povrchu křemíkového substrátu pro zajištění vhodných optických a elektronických vlastností monokrystalického křemíkového solárního článku s využitím analýz povrchových struktur
Czech description
The developed method describes a method for analyzing and evaluating the morphology of the structured surface of the silicon substrate using an AFM, eventually LSM and the appropriate software. It serves to determine the process conditions of etching thesurface of the silicon substrate to achieve optimum morphology for manufacturing solar cells with high efficiency.
Classification
Type
N<sub>metC</sub> - Methodology certified by the authorised body
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/FR-TI1%2F599" target="_blank" >FR-TI1/599: Proposal of the Process of Single Side Etching of Silicon Wafer for the Application into the Process of Photovoltaic Solar Cells Production</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2013
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Internal product ID
CM-2013-599
Regulation ID
CM-2013-599
Technical parameters
Metoda popisuje způsob analýzy a vyhodnocování morfologie strukturovaného povrchu křemíkového substrátu pomocí AFM, příp. LSM a příslušného softwarového vybavení a slouží ke stanovení typu a procesních podmínek leptání povrchu křemíkového substrátu s cílem dosáhnout optimální morfologie pro výrobu solárních článků s vysokou účinností. Výsledek slouží k vlastnímu využití a byla podepsána Smlouva o využití výsledků výzkumu a vývoje 2012/FR-TI1/599, s MPO ze dne 21.12.2012. Kontaktní osoba: Ing. Renáta Zetková, tel: 601375825, email: renata.zetkova@solartec.cz
Economical parameters
Metodika přispívá k významnému zlepšení kontrolovatelnosti procesů strukturování povrchu křemíkových substrátů, a tím i ke zvýšení vzhledové kvality solárních článků. Využití metodiky u realizátora přispěje ke kvalitnímu zhotovení zákaznických solárníchčlánků a FV modulů.
Certification body designation
Solartec s.r.o., Televizní 2618, 756 61 Rožnov pod Radhoštěm
Date of certification
—
Method of use
C - Výsledek je využíván bez omezení okruhu uživatelů