Physical properties of transparent conductive oxides prepared by RF reactive sputtering

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F06%3A00000095" target="_blank" >RIV/49777513:23640/06:00000095 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Physical properties of transparent conductive oxides prepared by RF reactive sputtering

Original language description

Transparent conductive oxide thin films (indium tin oxide, zinc oxide and Al doped zinc oxide) were prepared by RF diode sputtering. Selected properties of these films (structure, resistivity and transparency) were investigated with the aim to use them in thin film solar cells.

Czech name

Fyzikální vlastnosti transparentních vodivých oxidů připravených vysokofrekvenčním reaktivním naprašováním

Czech description

Tenké vrstvy transparentních vodivých oxidů (ITO, ZnO a ZnO dopované hliníkem)byly připraveny vysokofrekvenčním diodovým naprašováním. Vybrané vlastnostni těchto vrstev (struktura, rezistivita a transparentnost) byla vyšetřována za účelem použití pro tenké vrstvy v solárních článcích.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/1M06031" target="_blank" >1M06031: Materials and components for environment protection</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2006

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

ASDAM ´06

ISBN

1-4244-0396-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

4

Pages from-to

169-172

Publisher name

IEEE

Place of publication

Bratislava

Event location

Smolenice

Event date

Jan 1, 2006

Type of event by nationality

WRD - Celosvětová akce

UT code for WoS article

—