All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Modified Becke-Johnson (mBJ) exchange potential investigations of the optoelectronic structure of the quaternary diamond-like semiconductors Li2CdGeS4 and Li2CdSnS4

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F15%3A43926195" target="_blank" >RIV/49777513:23640/15:43926195 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2015.05.068" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2015.05.068</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2015.05.068" target="_blank" >10.1016/j.mssp.2015.05.068</a>

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    Modified Becke-Johnson (mBJ) exchange potential investigations of the optoelectronic structure of the quaternary diamond-like semiconductors Li2CdGeS4 and Li2CdSnS4

  • Original language description

    Li2CdGeS4 a Li2CdSnS4 sloučeniny jsou diamantu podobné polovodiče (DLSs) a byla zkoumána jejich elektronická struktura a optické vlastnosti pro potenciální optoelektronické aplikace. Hustota funkční teorie v rámci modifikovaného Becke-Johnson (MBJ)výměnypotenciálu, ukazuje, že pásová struktura vykazuje přímé zakázané pásmo polovodiče na Gamma s optickým zakázaným pásmem 2,461 a 3.16eV pro Li2CdGeS4 a Li2CdSnS4 resp. Také ukazuje, že obě látky jsou opticky aktivní materiály, naše zjištění vykazují pěknou harmonii s experimentálním měřením zakázaného pásma (3.10eV a 3.26eV pro Li2CdGeS4 a Li2CdSnS4). Statická dielektrická konstanta a statický index lomu klesají, když je Ge nahrazen Sn. V důsledku toho je možné naladit zakázané pásmo pro DLSs, což by mohlo vést k řešení konkrétní optoelektronické aplikace v blízké budoucnosti LED a solárních článků.

  • Czech name

  • Czech description

Classification

  • Type

    J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

  • CEP classification

    BE - Theoretical physics

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.

  • Continuities

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Others

  • Publication year

    2015

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Name of the periodical

    Material Science in Semiconductor Processing

  • ISSN

    1369-8001

  • e-ISSN

  • Volume of the periodical

    39

  • Issue of the periodical within the volume

    listopad 2015

  • Country of publishing house

    GB - UNITED KINGDOM

  • Number of pages

    8

  • Pages from-to

    606-613

  • UT code for WoS article

    000361774100083

  • EID of the result in the Scopus database