Modified Becke-Johnson (mBJ) exchange potential investigations of the optoelectronic structure of the quaternary diamond-like semiconductors Li2CdGeS4 and Li2CdSnS4
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F15%3A43926195" target="_blank" >RIV/49777513:23640/15:43926195 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2015.05.068" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2015.05.068</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2015.05.068" target="_blank" >10.1016/j.mssp.2015.05.068</a>
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Modified Becke-Johnson (mBJ) exchange potential investigations of the optoelectronic structure of the quaternary diamond-like semiconductors Li2CdGeS4 and Li2CdSnS4
Original language description
Li2CdGeS4 a Li2CdSnS4 sloučeniny jsou diamantu podobné polovodiče (DLSs) a byla zkoumána jejich elektronická struktura a optické vlastnosti pro potenciální optoelektronické aplikace. Hustota funkční teorie v rámci modifikovaného Becke-Johnson (MBJ)výměnypotenciálu, ukazuje, že pásová struktura vykazuje přímé zakázané pásmo polovodiče na Gamma s optickým zakázaným pásmem 2,461 a 3.16eV pro Li2CdGeS4 a Li2CdSnS4 resp. Také ukazuje, že obě látky jsou opticky aktivní materiály, naše zjištění vykazují pěknou harmonii s experimentálním měřením zakázaného pásma (3.10eV a 3.26eV pro Li2CdGeS4 a Li2CdSnS4). Statická dielektrická konstanta a statický index lomu klesají, když je Ge nahrazen Sn. V důsledku toho je možné naladit zakázané pásmo pro DLSs, což by mohlo vést k řešení konkrétní optoelektronické aplikace v blízké budoucnosti LED a solárních článků.
Czech name
—
Czech description
—
Classification
Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BE - Theoretical physics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2015
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
Material Science in Semiconductor Processing
ISSN
1369-8001
e-ISSN
—
Volume of the periodical
39
Issue of the periodical within the volume
listopad 2015
Country of publishing house
GB - UNITED KINGDOM
Number of pages
8
Pages from-to
606-613
UT code for WoS article
000361774100083
EID of the result in the Scopus database
—